[发明专利]用于电子电路的保护元件

权利要求书

1.具有至少一个肖特基二极管(S)和至少一个Z二极管或齐纳二极管(Z)的保护元件，所述至少一个肖特基二极管和所述至少一个Z二极管或齐纳二极管位于电源与电子器件之间，其中，所述肖特基二极管(S)的正极与所述电源连接并且所述肖特基二极管(S)的负极与所述电子器件和所述齐纳二极管的负极连接，所述齐纳二极管的正极接地，其特征在于，所述肖特基二极管(S)是沟槽MOS势垒结二极管或沟槽MOS势垒肖特基二极管(TMBS)或沟槽结势垒肖特基二极管(TJBS)。

2.根据权利要求1所述的保护元件，其特征在于，所述保护元件包括一个集成的半导体装置，所述半导体装置具有至少一个沟槽MOS势垒肖特基二极管和p掺杂的衬底，所述p掺杂的衬底充当所述Z二极管或齐纳二极管(Z)的正极。

3.根据权利要求2所述的保护元件，其特征在于，所述保护元件具有埋层(22)。

4.根据权利要求1所述的保护元件，其特征在于，所述保护元件具有沟槽结势垒肖特基二极管和p掺杂的衬底，所述p掺杂的衬底充当所述Z二极管或齐纳二极管的正极。

5.根据以上权利要求中任一项所述的保护元件，其特征在于，所有掺杂具有相反的导电类型。

6.根据权利要求2至5中任一项所述的保护元件，其特征在于，存在沟槽(3)，所述沟槽(3)具有矩形形状、U形形状或其他形状。

7.根据以上权利要求中的一项或多项所述的保护元件，其特征在于，所述沟槽(3)以条带布置或者作为岛来设置，其中，所述岛尤其被设计成圆形或六角形或其他形状。

8.根据以上权利要求2-7中任一项所述的保护元件，其特征在于，存在金属层，并且一些或所有金属层被实施成可焊接的，尤其是所述集成的保护元件焊接在金属体上或者金属体之间。

9.用于制造保护元件、尤其是根据以上权利要求2至8中任一项所述的保护元件的方法，其特征在于，在高n掺杂的、厚的衬底晶片上在两侧上施加n掺杂的外延层(2)或(23)，其中，所述衬底晶片充当埋层(22)，在所述n掺杂的外延层(23)上沉积另一p掺杂的外延层(1)，随后引入沟槽(3)和其他的层或者结构。

10.用于制造保护元件、尤其是根据以上权利要求2至8中任一项所述的保护元件的方法，其特征在于，在高n掺杂的、厚的衬底晶片上在两侧上施加n掺杂的外延层(2)或(23)，其中，所述衬底晶片充当埋层(22)，在所述方法中，借助于离子注入或者否则借助其他常用方法将p掺杂的层(1)引入到所述n掺杂的层(23)中，以及引入沟槽(3)和其他的层或者结构。