[发明专利]立方晶氮化硼烧结体和被覆立方晶氮化硼烧结体以及它们的制造方法有效

申请号：	201080051107.9	申请日：	2010-11-11
公开（公告）号：	CN102666435A	公开（公告）日：	2012-09-12
发明（设计）人：	余越祥	申请（专利权）人：	株式会社图格莱
主分类号：	C04B35/583	分类号：	C04B35/583;B23B27/14;C04B41/87
代理公司：	永新专利商标代理有限公司 72002	代理人：	白丽;陈建全
地址：	日本***	国省代码：	日本;JP
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摘要：
搜索关键词：	立方氮化烧结被覆以及它们制造方法
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【权利要求书】：

1.一种立方晶氮化硼烧结体，其特征在于，

其构成为：约30～约70体积%的立方晶氮化硼、由选自Ti、Al、Zr、Y、Ce、Mg、Ca的氧化物、碳化物、氮化物、硼化物和它们的相互固溶体中的至少1种形成的结合相，余量为不可避免的杂质；

其含有α型Al₂O₃、ZrB₂、ZrO₂和ZrO，

当将α型Al₂O₃的（110）面的X射线衍射强度表示为Ia、将ZrB₂的（101）面的X射线衍射强度表示为Izb、将ZrO的（111）面的X射线衍射强度表示为Izo时，表示Izb与Ia的比例的（Izb/Ia）满足0.13≤（Izb/Ia）≤0.30、表示Izo与Ia的比例的（Izo/Ia）满足0.05≤（Izo/Ia）≤0.20。

2.根据权利要求1所述的立方晶氮化硼烧结体，其中，（Izb/Ia）满足0.15≤（Izb/Ia）≤0.20。

3.根据权利要求1或2所述的立方晶氮化硼烧结体，其中，（Izo/Ia）满足0.13≤（Izo/Ia）≤0.19。

4.根据权利要求1~3任一项所述的立方晶氮化硼烧结体，其中，ZrO的（111）面的X射线衍射峰的半峰宽为0.450°以上。

5.根据权利要求1~3任一项所述的立方晶氮化硼烧结体，其中，ZrO的（111）面的X射线衍射峰的半峰宽为0.450°～1.000°的范围。

6.根据权利要求1~3任一项所述的立方晶氮化硼烧结体，其中，ZrO的（111）面的X射线衍射峰的半峰宽为0.460°～0.500°的范围。

7.根据权利要求1~6任一项所述的立方晶氮化硼烧结体，其含有立方晶ZrO₂，当将立方晶ZrO₂的（111）面的X射线衍射强度表示为Izo₂时，表示Izo2与Ia的比例的（Izo₂/Ia）满足0.15≤（Izo₂/Ia）≤0.60。

8.根据权利要求7所述的立方晶氮化硼烧结体，其中，（Izo₂/Ia）满足0.40≤（Izo₂/Ia）≤0.49。

9.根据权利要求1~8任一项所述的立方晶氮化硼烧结体，该立方晶氮化硼烧结体是具有下述构成的立方晶氮化硼烧结体：约30～约70体积%的立方晶氮化硼、由选自Al、Zr、Y、Ce、Mg、Ca的氧化物、碳化物、氮化物、硼化物和它们的相互固溶体中的至少1种形成的结合相，余量为不可避免的杂质。

10.根据权利要求1~9任一项所述的立方晶氮化硼烧结体，其中，结合相由选自Al、Zr的氧化物、硼化物和它们的相互固溶体中的至少1种形成。

11.根据权利要求1~9任一项所述的立方晶氮化硼烧结体，其中，结合相由Al的氧化物、Zr的氧化物和Zr的硼化物形成。

12.根据权利要求1~9任一项所述的立方晶氮化硼烧结体，其中，结合相由α型Al₂O₃、ZrB₂、立方晶ZrO₂和ZrO形成。

13.一种被覆立方晶氮化硼烧结体，其是在权利要求1~12任一项所述的立方晶氮化硼烧结体的表面上被覆覆膜而得到的。