[发明专利]用于从离子源部件清除残余物的方法和设备

权利要求书

1.一种用于从离子源部件移除残余物的方法，所述离子源部件用于提取分子束，所述方法包括以下步骤：

使用包括氟的第一等离子来帮助从所述离子源部件移除所述残余物。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，用于产生所述第一等离子的气体包括碳氟化合物或氢氟碳化物中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，用于产生所述第一等离子的气体如果不是完全没有NF₃则至少基本上没有NF₃。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一等离子在该第一等离子的下游产生第一余辉，所述第一余辉包括与所述残余物接触以移除所述残余物的氟原子。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括以下步骤：

根据是否符合第一预定条件来选择性地结束至所述第一等离子的暴露，所述第一预定条件表示所述残余物的移除程度。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第一预定条件涉及：从暴露到所述第一等离子的开始时间进行测量时，预定时间是否已期满。

7.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第一预定条件涉及：使用二次离子源的光学光谱分析是否指示所述第一等离子是否已完全地从所述离子源部件移除所述残余物。

8.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第一预定条件涉及：残余气体质量分析是否指示所述第一等离子是否已完全地从所述离子源部件移除所述残余物。

9.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第一预定条件涉及：温度测量是否指示所述第一等离子是否已完全地从所述离子源部件移除所述残余物。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述残余物包括硼基化合物。

11.根据权利要求1所述的方法，还包括以下步骤：

将所述离子源部件暴露到包括氧的第二等离子；和

根据是否符合第二预定条件来选择性地结束至所述第二等离子的暴露。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述残余物包括碳基化合物。

13.根据权利要求11所述的方法，其中，所述第二预定条件涉及：从暴露到所述第二等离子的开始时间进行测量时，预定时间是否已期满。

14.根据权利要求11所述的方法，其中，所述第二预定条件涉及：使用二次等离子源的光学光谱分析是否指示所述第二等离子是否已完全地从所述离子源部件移除所述残余物。

15.根据权利要求11所述的方法，其中，所述第二预定条件涉及：残余气体质量分析是否指示所述第二等离子是否已完全地从所述离子源部件移除所述残余物。

16.一种用于从离子源部件移除残余物的方法，所述离子源部件用于提取分子束，所述方法包括以下步骤：

沿着束路径提取第一分子束并在所述离子源部件上同时产生第一残余物，其中通过使用包括第一分子物质的第一气体来产生所述第一分子束；

沿着所述束路径提取第二分子束并在所述离子源部件上同时产生第二残余物，其中通过使用包括第二分子物质的第二气体来产生所述第二分子束，并且其中所述第二残余物的构成成分不同于所述第一残余物的构成成分；和

选择性地产生第一清除等离子放电和第二清除等离子放电，以分别帮助从所述离子源部件移除所述第一残余物和所述第二残余物。

17.根据权利要求16所述的方法，其中：

所述第一清除等离子放电和所述第二清除等离子放电分别产生第一余辉和第二余辉，所述第一余辉和所述第二余辉分别在所述第一等离子放电和所述第二等离子放电的下游；和

所述第一余辉和所述第二余辉分别接触所述第一残余物和所述第二残余物以分别移除所述第一残余物和所述第二残余物。

18.根据权利要求16所述的方法，其中，所述第一气体包括氟，并且如果不是完全没有NF₃则至少基本上没有NF₃。

19.根据权利要求18所述的方法，其中，所述第一分子物质包括硼。

20.根据权利要求18所述的方法，其中，所述第二气体包括氧。