[发明专利]微电子体器件及制造其的方法有效

专利信息
申请号: 201080051284.7 申请日: 2010-09-20
公开(公告)号: CN102725845B 公开(公告)日: 2016-11-30
发明(设计)人: M.K.罗伊;B.M.罗伯茨;约翰·S·古泽克 申请(专利权)人: 英特尔公司
主分类号: H01L23/485 分类号: H01L23/485;H01L23/50;H01L23/12;H01L23/14
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 姜冰;卢江
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 微电子 器件 制造 方法
【权利要求书】:

1. 一种微电子器件,包括:

第一衬底,其中具有第一导电路径;以及

第二衬底,在所述第一衬底上方,所述第二衬底其中具有第二导电路径,

其中:

所述第一导电路径和所述第二导电路径电连接到彼此并形成电感器的电流回路的一部分。

2. 如权利要求1所述的微电子器件,其中:

所述电感器具有电感器芯,所述电感器芯的特征在于不含金属。

3. 如权利要求1所述的微电子器件,还包括:

包含电压调节电路的管芯,其中所述电感器连接到所述电压调节电路。

4. 如权利要求1所述的微电子器件,其中:

所述第二衬底包括衬底芯;以及

所述衬底芯的厚度不大于400微米。

5. 如权利要求1所述的微电子器件,其中:

所述第一衬底具有第一表面区域,并包括具有第一间距的互连的第一集合;以及

所述第二衬底具有第二表面区域,并包括在其第一表面具有第二间距的互连的第二集合和在其第二表面具有第三间距的互连的第三集合,

其中:

所述第二衬底使用互连的所述第二集合耦合到所述第一衬底;

所述第一间距大于所述第二间距;

所述第二间距大于所述第三间距;以及

所述第一表面区域大于所述第二表面区域。

6. 如权利要求5所述的微电子器件,其中:

互连的所述第一集合形成所述第一导电路径的部分;以及

互连的所述第二集合形成所述第二导电路径的部分。

7. 一种微电子器件,包括:

第一衬底,其中具有第一导电路径;

第二衬底,在所述第一衬底上方,所述第二衬底其中具有第二导电路径;以及

管芯,在所述第二衬底上方,

其中:

所述第一导电路径和所述第二导电路径电连接到彼此并形成电感器的电流回路的一部分。

8. 如权利要求7所述的微电子器件,其中:

所述电感器具有电感器芯,所述电感器芯的特征在于不含金属。

9. 如权利要求7所述的微电子器件,其中:

所述第二衬底包括衬底芯;以及

所述衬底芯的厚度不大于400微米。

10. 如权利要求7所述的微电子器件,其中:

所述第一衬底具有第一表面区域,并包括具有第一间距的互连的第一集合;以及

所述第二衬底具有第二表面区域,并包括在其第一表面具有第二间距的互连的第二集合和在其第二表面具有第三间距的互连的第三集合,

其中:

所述第二衬底使用互连的所述第二集合耦合到所述第一衬底;

所述第一间距大于所述第二间距;

所述第二间距大于所述第三间距;以及

所述第一表面区域大于所述第二表面区域。

11. 如权利要求10所述的微电子器件,其中:

互连的所述第一集合形成所述第一导电路径的部分;以及

互连的所述第二集合形成所述第二导电路径的部分。

12. 一种制造微电子器件的方法,所述方法包括:

提供其中具有第一导电路径的第一衬底;

提供其中具有第二导电路径的第二衬底;以及

将所述第一衬底和所述第二衬底连接到彼此,使得所述第一导电路径和所述第二导电路径电连接到彼此并形成电感器的电流回路的一部分。

13. 如权利要求12所述的方法,还包括:

将管芯连接到所述第二衬底。

14. 如权利要求13所述的方法,其中:

提供所述第一衬底包括形成第一多个通路和其中的第一多个迹线;

提供所述第二衬底包括形成第二多个通路和其中的第二多个迹线;以及

将所述第一衬底和所述第二衬底物理连接到彼此包括布置所述第一和第二多个通路和所述第一和第二多个迹线,使得所述电流回路的所述部分包括所述第一多个通路的第一通路、所述第二多个通路的第一通路、所述第二多个迹线的第一迹线、所述第二多个通路的第二通路、所述第一多个通路的第二通路以及所述第一多个迹线的第一迹线。

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