[发明专利]具有电极处RF匹配的大面积等离子体处理腔室

权利要求书

1.一种等离子体处理系统，包括：

腔室主体，所述腔室主体具有界定处理空间的腔室侧壁、底部与盖组件，所述盖组件由所述腔室侧壁所支撑；

基板支撑件，所述基板支撑件配置于所述腔室主体的处理空间中；

气体分配板，所述气体分配板配置于所述基板支撑件上方；

背板，所述背板由所述盖组件所支撑，所述背板支撑所述气体分配板；

接地盖件，所述接地盖件配置于所述盖组件上方且覆盖所述背板；

RF功率源；

RF供给，所述RF供给透过所述接地盖件耦接至所述RF功率源；

分配器，所述分配器配置于所述接地盖件与所述背板之间，所述分配器耦接至所述RF供给；

多个RF子供给，所述多个RF子供给配置于所述接地盖件与所述背板之间；所述多个RF子供给透过所述分配器耦接至所述RF供给；

多个电容性负载元件，所述多个电容性负载元件配置于所述接地盖件与所述背板之间，所述多个负载元件的各自一者耦接一各自的RF子供给至所述接地盖件；

多个RF调谐元件，所述多个RF调谐元件耦接于所述背板，所述RF调谐元件配置于所述接地盖件与所述背板之间，所述多个RF调谐元件的各自一者耦接一各自的RF子供给至所述背板；及

RF气体馈通，所述RF气体馈通提供气体管道，所述气体管道穿过所述接地盖件且进入界定于所述气体分配板与所述背板之间的气室。

2.如权利要求1所述的等离子体处理系统，其中所述多个RF子供给还包括：

四个200欧姆的导体或另一组合，所述组合充分地匹配所述多个RF子供给的阻抗至所述RF功率源的输出阻抗。

3.如权利要求2所述的等离子体处理系统，其中所述多个RF子供给的阻抗经选择以提供围绕所述背板不对称的RF功率驱动。

4.如权利要求2所述的等离子体处理系统，其中所述RF调谐元件是固定电容器与/或固定电感器。

5.如权利要求1所述的等离子体处理系统，其中所述多个RF调谐元件中的每一个还包括：

可调整的电容器与/或可调整的电感器。