[发明专利]用于制造LED用蓝宝石单晶基板的蓝宝石单晶、LED用蓝宝石单晶基板、发光元件以及它们的制造方法

权利要求书

1.一种用于制造LED用蓝宝石单晶基板的蓝宝石单晶，其特征在于，Ti含量为超过12ppm且100ppm以下。

2.一种LED用蓝宝石单晶基板，其特征在于，Ti含量为超过12ppm且100ppm以下。

3.一种发光元件，其特征在于，在权利要求2所述的蓝宝石单晶基板上形成有GaN系半导体层。

4.一种LED用蓝宝石单晶基板的制造方法，其特征在于，将Ti含量为超过12ppm且2500ppm以下的范围的氧化铝熔融，

一边使所述熔融的氧化铝旋转一边提拉，从而形成蓝宝石单晶的锭的肩部、直体部及尾部，

从所述锭切取蓝宝石单晶基板，

对所述切取的蓝宝石单晶基板进行热处理，然后对其表面进行镜面加工，

在所述镜面加工后的蓝宝石单晶基板表面上形成凹凸。

5.一种LED用蓝宝石单晶基板的制造方法，其特征在于，其包括对蓝宝石单晶基板进行热处理使其透明化的工序，所述基板的Ti含量为超过12ppm且100ppm以下的范围，作为其他杂质元素，以1ppm～0.01ppm的范围含有选自由V、Mg、Ga、Ir、Si、Na、B及P组成的组中的至少1种元素。

6.一种发光元件的制造方法，其特征在于，

在通过权利要求4所述的LED用蓝宝石单晶基板的制造方法制造的LED用蓝宝石单晶基板上形成由AlN构成的缓冲层，

通过有机金属化学气相沉积法在所述缓冲层上形成由GaN系化合物半导体构成的基底层、n型半导体层、发光层及p型半导体层，

在所述p型半导体层上形成正极，在所述n型半导体层上形成负极。