[发明专利]用于检测等离子体处理系统中等离子体约束状态的方法及装置有效
申请号: | 201080051817.1 | 申请日: | 2010-11-19 |
公开(公告)号: | CN102612738A | 公开(公告)日: | 2012-07-25 |
发明(设计)人: | 约翰·C·小瓦尔科;詹姆斯·罗格斯 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/3065;H01L21/687 |
代理公司: | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人: | 李献忠 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 检测 等离子体 处理 系统 约束 状态 方法 装置 | ||
1.一种用于检测等离子体处理腔室中的等离子体无约束的方法,所述等离子体处理腔室具有静电(ESC)卡盘,所述方法包括:
将RF电压提供给所述ESC卡盘;
设置ESC电源单元,所述ESC电源单元被配置为将DC偏压提供给所述ESC卡盘,所述ESC电源单元连接有中间抽头以接收所述RF电压;
同时监测所述RF电压和所述中间抽头的变化,所述变化指示等离子体无约束状况;以及
如果通过所述监测检测到所述等离子体无约束状况,则提供指示所述等离子体无约束状况存在的信号。
2.如权利要求1中所述的方法,其中,所述RF电压为包括至少两个RF频率的宽带RF电压。
3.如权利要求1中所述的方法,其中,所述监测包括检测所述RF电压的变化。
4.如权利要求3中所述的方法,其中,所述监测进一步包括判定所述变化的量值是否超过预定阈值。
5.如权利要求1所述的方法,其中,所述监测包括检测所述RF电压的正变化。
6.如权利要求1所述的方法,其中,所述监测包括检测所述中间抽头上的开环DC响应的变化。
7.如权利要求6所述的方法,其中,所述监测进一步包括判定所述变化的量值是否超过预定阈值。
8.如权利要求1所述的方法,其中,所述监测包括检测所述中间抽头上的开环DC响应的正变化。
9.如权利要求1所述的方法,其中,所述开环DC响应代表开环DC电压。
10.如权利要求1所述的方法,其中,所述开环DC响应代表开环DC电流。
11.如权利要求1所述的方法,其中,所述监测包括:检测所述RF电压的变化以及检测所述中间抽头上的开环DC响应的变化。
12.如权利要求1所述的方法,其中,所述信号用作响应于检测到所述等离子体无约束状况而自动启动校正措施的反馈信号。
13.一种用于检测等离子体处理腔室中的等离子体无约束的装置,所述等离子体处理腔室具有静电(ESC)卡盘,所述ESC卡盘被配置为接收RF电压,所述装置包括:
ESC电源单元,其被配置为将DC偏压提供给所述ESC卡盘,所述ESC电源单元连接有中间抽头以接收所述RF电压;以及
用于分析所述RF电压和所述中间抽头上的开环DC响应的变化的器件,所述变化指示等离子体无约束状况。
14.如权利要求13所述的装置,其中,所述RF电压为包括至少两种RF频率的宽带RF电压。
15.如权利要求13所述的装置,其中,所述用于分析的器件被配置为至少检测所述RF电压的正变化。
16.如权利要求13所述的装置,其中,所述用于分析的器件还被配置为判定所述RF电压的变化的量值是否超过预定阈值。
17.如权利要求13所述的装置,其中,所述用于分析的器件被配置为至少检测所述中间抽头上的开环DC响应的正变化。
18.如权利要求13所述的装置,其中,所述用于分析的器件还被配置为判定所述开环DC响应的变化的量值是否超过预定阈值。
19.如权利要求13所述的装置,其中,所述开环DC响应代表开环DC电压。
20.如权利要求13所述的装置,其中,所述开环DC响应代表开环DC电流。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造