[发明专利]吸光基材的织构化表面

权利要求书

1.一种将基材织构化的方法，所述方法包括如下步骤：

a)在基材的顶部表面上涂布粒子层；

b)改性所述粒子；以及

c)使用经改性的粒子作为蚀刻掩模而蚀刻所述基材。

2.根据权利要求1所述的方法，其中改性所述粒子增加了所述粒子中的至少一些与所述基材的一些之间的接触面积。

3.根据权利要求1所述的方法，其中改性所述粒子的步骤包括收缩所述粒子。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述收缩步骤通过反应离子蚀刻或氧等离子体蚀刻进行。

5.根据权利要求1所述的方法，其中改性所述粒子的步骤包括熔融所述粒子。

6.根据权利要求1所述的方法，其中改性所述粒子的步骤包括收缩所述粒子和熔融所述粒子。

7.根据权利要求6所述的方法，其中收缩所述粒子在熔融所述粒子之前进行。

8.根据权利要求1所述的方法，其还包括在蚀刻所述基材之后去除所述经改性的粒子。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述粒子由聚合物组成。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述聚合物包括聚(甲基丙烯酸)甲酯。

11.根据权利要求1所述的方法，其中在所述基材上涂布之前将所述粒子层分散于溶液中。

12.根据权利要求11所述的方法，其中将表面活性剂加入分散有所述粒子的溶液中。

13.根据权利要求1所述的方法，其中所述涂布步骤包括如下的一种或多种：旋涂、浸涂、刮棒涂布、辊涂、刮刀涂布和喷涂。

14.根据权利要求1所述的方法，其中所述粒子涂层包含在所述基材的顶部表面的密堆积单层。

15.根据权利要求1所述的方法，其中所述基材吸收光。

16.根据权利要求15所述的方法，其中所述基材为半导体太阳能电池。

17.根据权利要求16所述的方法，其中所述半导体太阳能电池由结晶材料组成。

18.根据权利要求17所述的方法，其中所述结晶材料为硅、砷化镓、二硒化铜铟或碲化镉。

19.根据权利要求16所述的方法，其中所述基材由玻璃组成。

20.根据权利要求1所述的方法，其中所述蚀刻包括湿法蚀刻。

21.根据权利要求20所述的方法，其中所述湿法蚀刻为各向同性的。

22.根据权利要求20所述的方法，其中所述湿法蚀刻为各向异性的。

23.根据权利要求1所述的方法，其中所述蚀刻包括干法蚀刻。

24.根据权利要求23所述的方法，其中所述干法蚀刻包括溅射蚀刻。

25.根据权利要求23所述的方法，其中所述干法蚀刻包括反应离子蚀刻。

26.根据权利要求23所述的方法，其中所述干法蚀刻包括离子束蚀刻。

27.根据权利要求1所述的方法，其中所述步骤顺序地进行。

28.一种将基材织构化的方法，所述方法包括如下步骤：

a)在基材的顶部表面上涂布粒子层；

b)在所述粒子层上涂布高折射率层。

29.根据权利要求28所述的方法，其还包括改性所述粒子层的步骤。

30.根据权利要求29所述的方法，其中改性所述粒子层的步骤包括熔融、反应离子蚀刻或氧等离子体蚀刻所述粒子。