[发明专利]形成于N-掺杂衬底上的多结太阳能电池

权利要求书

1.一种装置，包括：

衬底，由n-掺杂半导体材料构成，并与金属导体电接触；

p-on-n隧道结二极管，设置于所述衬底之上；

一个或多个n-on-p结，设置于所述隧道结二极管之上；

金属栅格，与最上层半导体电接触，

其中所述衬底、所述p-on-n隧道结二极管、所述一个或多个n-on-p结以及所述金属栅格共同形成光伏装置。

2.根据权利要求1所述的装置，其中与所述金属栅格接触的所述最上层半导体为n型。

3.根据权利要求1所述的装置，其中所述隧道结二极管利用了n++GaAs上的p++GaAs。

4.根据权利要求1所述的装置，其中所形成的光伏装置是三结太阳能电池。

5.根据权利要求4所述的装置，其中所述n-on-p结中的至少一个具有约1eV的带隙或处于0.93eV与1.05eV之间的带隙。

6.根据权利要求5所述的装置，其中至少第一结包含与所述衬底晶格匹配的稀释氮化物材料。

7.根据权利要求6所述的装置，其中至少第二结和第三结包含砷化镓和磷化铟镓，并且所有所述n-on-p结均与所述衬底晶格匹配。

8.根据权利要求7所述的装置，其中所述衬底包含n型砷化镓。

9.根据权利要求5所述的装置，其中所述约1eV的结包含不与所述衬底晶格匹配的材料。

10.根据权利要求4所述的装置，其中至少一个结包含与所述衬底晶格匹配的硅-锗材料。

11.根据权利要求1所述的装置，其中所形成的光伏装置为四结太阳能电池。

12.根据权利要求11所述的装置，其中至少第一结包含与所述衬底晶格匹配的稀释氮化物材料。

13.根据权利要求1所述的装置，其中所形成的光伏装置为五结太阳能电池。

14.根据权利要求13所述的装置，其中至少第一结包含与所述衬底晶格匹配的稀释氮化物材料。

15.根据权利要求1所述的装置，其中所述一个或多个n-on-p结包括被确定为位于元素周期表的III族和V族中的材料。