[发明专利]结晶半导体膜的制造方法

权利要求书

1.一种结晶半导体膜的制造方法，通过在非单晶半导体膜上相对地扫描并照射线光束形状的脉冲激光来使所述非单晶半导体膜结晶，其特征在于，

所述脉冲激光在扫描方向上的光束截面形状具有强度均匀的平坦部，通过该脉冲激光的照射而结晶的半导体膜所形成的晶体管在所述扫描方向上的沟道区域宽度为b，

所述脉冲激光具有的照射脉冲能量密度E低于通过该脉冲激光的照射而使所述非单晶半导体膜发生微晶化的照射脉冲能量密度，

通过具有所述照射脉冲能量密度E的脉冲激光的照射而使结晶粒径生长达到饱和时的照射次数为n0，则脉冲激光的照射次数n为（n0－1）以上，

所述脉冲激光在所述扫描方向上的每一个脉冲的移动量c为b/2以下。

2.如权利要求1所述的结晶半导体膜的制造方法，其特征在于，

所述脉冲激光的照射次数n为（n0－1）以上且3·n0以下。

3.如权利要求1或2所述的结晶半导体膜的制造方法，其特征在于，

所述光束宽度为500μm以下。

4.如权利要求1至3的任一项所述的结晶半导体膜的制造方法，其特征在于，

所述沟道区域宽度为1mm以下。

5.如权利要求1至4的任一项所述的结晶半导体膜的制造方法，其特征在于，

所述非单晶半导体为硅。

6.如权利要求1至5的任一项所述的结晶半导体膜的制造方法，其特征在于，

所述脉冲激光为准分子激光。