[发明专利]用于形成钝化发射极的银背面电极以及形成背面接触硅太阳能电池的方法无效
申请号: | 201080052455.8 | 申请日: | 2010-11-23 |
公开(公告)号: | CN102640231A | 公开(公告)日: | 2012-08-15 |
发明(设计)人: | A·G·普林斯;R·J·S·杨;G·劳迪辛奥;G·库尔塔特;K·W·杭;B·怀特勒 | 申请(专利权)人: | E·I·内穆尔杜邦公司 |
主分类号: | H01B1/22 | 分类号: | H01B1/22 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 朱黎明 |
地址: | 美国特*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 形成 钝化 发射极 背面 电极 以及 接触 太阳能电池 方法 | ||
1.用于形成PERC硅太阳能电池的导电银背面电极的方法,所述方法包括以下步骤:
(1)提供硅片,所述硅片在其正面上具有ARC层并且在其背面上具有穿孔的介电钝化层,
(2)在所述硅片的背面上施加并干燥银浆以在穿孔的介电钝化层上形成银背面电极图案,以及
(3)焙烧所述干燥的银浆,从而使所述晶片达到700-900℃的峰值温度,
其中所述银浆不具有烧透能力或仅具有较差的烧透能力,并且包含粒状银和有机载体。
2.权利要求1的方法,其中所述银浆包含至少一种玻璃料,所述玻璃料选自:(i)无铅玻璃料,其具有550-611℃范围内的软化点温度,并且包含11-33重量%的SiO2、>0-7重量%的Al2O3和2-10重量%的B2O3,和(ii)含铅玻璃料,其具有571-636℃范围内的软化点温度,并且包含53-57重量%的PbO、25-29重量%的SiO2、2-6重量%的Al2O3和6-9重量%的B2O3。
3.权利要求2的方法,其中所述一种或多种无铅玻璃料包含40-73重量%的Bi2O3。
4.权利要求2或3的方法,其中在所述银浆中,选自类型(i)和(ii)的所述玻璃料的总含量为0.25-8重量%。
5.任一项前述权利要求的方法,其中基于总银浆组合物计,所述粒状银以50-92重量%的比例存在。
6.任一项前述权利要求的方法,其中基于总银浆组合物计,所述有机载体含量为20-45重量%。
7.任一项前述权利要求的方法,其中基于总银浆组合物计,所述银浆包含0.05-1.5重量%的至少一种氧化锑,其中所述至少一种氧化锑(i)作为一种或多种单独的粒状组分,(ii)作为一种或多种玻璃料组分或(iii)作为一种或多种单独的粒状组分和作为一种或多种玻璃料组分存在。
8.任一项前述权利要求的方法,其中所述银浆通过印刷被施加。
9.任一项前述权利要求的方法,其中焙烧以共同焙烧进行,所述共同焙烧连同已被施加到所述硅片的背面铝浆和/或正面金属浆料一起以形成铝背面电极和/或正面金属电极。
10.PERC硅太阳能电池的导电银背面电极,所述导电银背面电极通过任一项前述权利要求的方法制成。
11.PERC硅太阳能电池,所述硅太阳能电池包含权利要求10的导电银背面电极。
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