[发明专利]加速度传感器无效

专利信息
申请号: 201080052782.3 申请日: 2010-11-17
公开(公告)号: CN102667496A 公开(公告)日: 2012-09-12
发明(设计)人: 吉田仁;铃木裕二 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: G01P15/125 分类号: G01P15/125;G01P15/18;H01L29/84
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 陈萍
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 加速度 传感器
【权利要求书】:

1.一种加速度传感器,其特征在于,

具备传感器部,上述传感器部包括:

重量部,在一面开口的凹部和除凹部以外的实心部一体地形成;

一对横梁部,以使凹部和实心部沿转动方向并列的方式,转动自由地支撑重量部;

可动电极,在不同于凹部开口的上述一面的另一面中,跨过凹部和实心部而设置;

第一固定电极,配设在与可动电极中的凹部一侧对置的位置;

第二固定电极,配设在与可动电极中的实心部一侧对置的位置;以及

检测电极,与各个固定电极电连接,检测可动电极与固定电极之间的静电电容;

上述加速度传感器根据可动电极与固定电极之间的静电电容的变化来检测加速度,上述变化是伴随着以连结一对横梁部的直线为转动轴的重量部的转动而产生的,

该加速度传感器具有:

第一固定板,与重量部的可动电极侧的面隔有规定的间隔而配置;以及

埋入电极,沿厚度方向埋设在第一固定板中;

埋入电极将与该可动电极对置的一侧的端部作为上述固定电极来使用,将另一端部作为上述检测电极来使用。

2.如权利要求1所述的加速度传感器,其特征在于,

上述埋入电极由P+型半导体构成。

3.如权利要求1或2所述的加速度传感器,其特征在于,

检测施加在上述重量部上的第一方向的加速度和与第一方向正交的第二方向的加速度。

4.如权利要求3所述的加速度传感器,其特征在于,

在同一芯片中形成有多个上述传感器部。

5.如权利要求4所述的加速度传感器,其特征在于,

在同一芯片中形成有两个上述传感器部,一个传感器部配置成相对于另一个传感器部,在同一平面内旋转180度。

6.如权利要求5所述的加速度传感器,其特征在于,

上述两个传感器部相邻地配置。

7.如权利要求4所述的加速度传感器,其特征在于,

在同一芯片中形成有三个上述传感器部,两个传感器部配置成相对于剩余的一个传感器部,分别在同一平面中旋转90度及180度。

8.如权利要求1~7中的任意1项所述的加速度传感器,其特征在于,

在上述各固定电极的与可动电极的对置面、或是可动电极的与各固定电极的对置面上形成有突起部。

9.如权利要求8所述的加速度传感器,其特征在于,

上述突起部由硅或硅氧化膜形成。

10.如权利要求8所述的加速度传感器,其特征在于,

上述突起部的表层由碳材料形成。

11.如权利要求10所述的加速度传感器,其特征在于,

上述碳材料为碳纳米管。

12.如权利要求1~11的任意1项所述的加速度传感器,其特征在于,

具有第二固定板,该第二固定板与上述重量部的固定电极所对置的一侧的相反的一侧的面隔有规定的间隔而配置,并在第二固定板的与重量部对置的面上设置有用于防止重量部的附着的防附着膜。

13.如权利要求12所述的加速度传感器,其特征在于,

上述防附着膜由与固定电极相同的材料形成。

14.如权利要求12或13所述的加速度传感器,其特征在于,

上述防附着膜与固定电极同时形成。

15.如权利要求12~14的任意1项所述的加速度传感器,其特征在于,

利用半导体制造工序来成膜上述防附着膜。

16.如权利要求12~15的任意1项所述的加速度传感器,其特征在于,

上述防附着膜由铝系合金形成。

17.如权利要求12~16的任意1项所述的加速度传感器,其特征在于,

通过使上述固定电极与可动电极之间产生引力,检测第一及第二固定电极与可动电极之间的静电电容的变化。

18.如权利要求17所述的加速度传感器,其特征在于,

在上述防附着膜的表面上设置有由有机材料构成的薄膜。

19.如权利要求18所述的加速度传感器,其特征在于,

上述薄膜为聚酰亚胺薄膜。

20.如权利要求1~19的任意1项所述的加速度传感器,其特征在于,

将横梁部配置成向凹部一侧偏移,从而使从上述重量部的重心位置向上述转动轴下垂的垂线与可动电极的表面所成的角度变成大致45度。

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