[发明专利]电力变换装置以及电力变换装置的驱动方法有效

专利信息
申请号: 201080053111.9 申请日: 2010-05-26
公开(公告)号: CN102668356A 公开(公告)日: 2012-09-12
发明(设计)人: 地道拓志;东圣 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: H02M7/537 分类号: H02M7/537
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 崔成哲
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 电力 变换 装置 以及 驱动 方法
【权利要求书】:

1.一种电力变换装置,被构成为在串联连接了2个将开关元件和开关元件以外的半导体元件并联连接而得到的半导体器件群的支路中,所述半导体器件群被串联连接的连接点成为交流输出端子,所述支路的两端成为直流端子,在所述半导体器件群内的元件之间,在该半导体器件群中流过的电流中产生分流,其特征在于,具备:

电流传感器,检测所述半导体器件群中流过的电流;

电压指令制作部,计算所输出的电压指令值;

电压下降计算部,使用由所述电流传感器检测出的电流值和包括所述半导体器件群的分流特性的电压下降特性,计算所述半导体器件群的电压下降;以及

开关控制部,使用由该电压下降计算部计算出的电压下降,校正由所述电压指令制作部制作的电压指令值,控制所述开关元件的接通/断开。

2.根据权利要求1所述的电力变换装置,其特征在于,

电压下降计算部使用电流传感器检测的电流值,计算开关半周期的n倍期间中的电压下降,开关控制部使用由所述电压下降计算部计算出的电压下降的值,对作为比所述开关半周期的n倍期间更靠后的开关半周期的m倍期间的电压指令值而由电压指令制作部制作出的电压指令值进行校正,控制开关元件的接通/断开,其中,n是正的整数,m是正的整数。

3.根据权利要求2所述的电力变换装置,其特征在于,

电流传感器被设置成检测在交流输出端子中流过的电流,电压下降计算部使用由所述电流传感器检测的电流值、和针对开关半周期的n倍期间由开关控制部输出的各个所述半导体器件群的接通时间比,来计算支路中的2个半导体器件群各自的电压下降。

4.根据权利要求2所述的电力变换装置,其特征在于,

电流传感器被设置成检测支路中的2个半导体器件群中的各个半导体器件群中流过的电流,使用各个半导体器件群中流过的电流值,来计算支路中的2个半导体器件群各自的电压下降。

5.根据权利要求1所述的电力变换装置,其特征在于,

电压下降计算部根据包括设为在失效时间期间在开关元件中不流过电流的半导体器件群的分流特性的电压下降特性,计算电压下降。

6.根据权利要求1所述的电力变换装置,其特征在于,

开关元件是MOSFET或者JFET,开关元件以外的半导体元件是所述MOSFET或者JFET上附随的寄生二极管,所述电力变换装置被构成为进行同步整流。

7.根据权利要求6所述的电力变换装置,其特征在于,

作为开关元件以外的半导体元件,还连接了环流二极管。

8.根据权利要求1所述的电力变换装置,其特征在于,

开关元件是IGBT,开关元件以外的半导体元件是并联连接了多个二极管的并联连接体,在该多个二极管之间发生分流。

9.根据权利要求1~8中的任意一项所述的电力变换装置,其特征在于,

开关元件由宽能带隙半导体材料形成。

10.根据权利要求1~9中的任意一项所述的电力变换装置,其特征在于,

开关元件以外的半导体元件由宽能带隙半导体材料形成。

11.根据权利要求9或者10所述的电力变换装置,其特征在于,

宽能带隙半导体材料是碳化硅、氮化镓和金刚石中的某一个。

12.一种电力变换装置的驱动方法,该电力变换装置被构成为在串联连接了2个将开关元件和开关元件以外的半导体元件并联连接而得到的半导体器件群的支路中,所述半导体器件群被串联连接的连接点成为交流输出端子,所述支路的两端成为直流端子,在所述半导体器件群内的元件之间,在该半导体器件群中流过的电流中产生分流,该电力变换装置的驱动方法的特征在于,

计算指令对所述交流输出端子输出的电压的电压指令值,

使用所述半导体器件群中流过的电流值和包括所述半导体器件群的分流特性的电压下降特性,计算所述半导体器件群的电压下降,

使用该计算出的电压下降来校正所述电压指令值,控制所述开关元件的接通/断开。

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