[发明专利]有机电子器件、组合物和方法

权利要求书

1.一种器件，其包含：

基板上的多个导电性纳米线，和

设置在所述纳米线上的至少一种组合物，其包含水溶性或水分散性聚噻吩，所述聚噻吩包含（i）至少一个有机取代基，和（ii）至少一个磺酸盐取代基，所述磺酸盐取代基包含与所述聚噻吩骨架直接键合的磺酸盐的硫。

2.根据权利要求1所述的器件，其中所述器件包含η大于约2%的OPV。

3.根据权利要求1所述的器件，其中所述聚噻吩除磺化之外包含区域规则性为至少约90%的规则的头尾偶联的聚(3-取代噻吩)。

4.根据权利要求1所述的器件，其中所述聚噻吩包含水溶性聚噻吩。

5.根据权利要求1所述的器件，其中所述聚噻吩包含掺杂的聚噻吩。

6.根据权利要求1所述的器件，其中所述聚噻吩包含至少一个亚烷基氧化物、烷氧基或烷基取代基。

7.根据权利要求1所述的器件，其中所述聚噻吩包含特征在于酸值为约250mg KOH/g聚合物或更低的聚噻吩。

8.一种器件，其包含至少一个传导层，所述至少一个传导层包含：

多个导电性纳米线，和

至少一种组合物，其包含水溶性或水分散性区域规则性聚噻吩，所述聚噻吩包含（i）至少一个有机取代基，和（ii）至少一个磺酸盐取代基，所述磺酸盐取代基包含与所述聚噻吩骨架直接键合的磺酸盐的硫。

9.一种器件，其包括至少一个传导层和至少一个设置在所述传导层上的其它层，

所述至少一个传导层包含多个导电性纳米线，和

所述至少一个其它层，其选自：空穴注入层、空穴传输层、覆盖层或空穴收集层，

其中所述至少一个其它层包含至少一种组合物，所述组合物包含水溶性或水分散性区域规则性聚噻吩，所述聚噻吩包含（i）至少一个有机取代基，和（ii）至少一个磺酸盐取代基，所述磺酸盐取代基包含与所述聚噻吩骨架直接键合的磺酸盐的硫。

10.根据权利要求9所述的器件，其中所述器件包含η大于约2%的OPV。

11.一种器件，其包含：

第一层，其包含基板上的多个导电性纳米线；和

设置在所述纳米线上的第二层，其包含一种或多种聚合物或共聚物，所述一种或多种聚合物或共聚物包含至少一个杂芳基或至少一个多芳基胺，其中所述杂芳基或多芳基胺任选地通过酮基或氟代亚烷基氧基连接。