[发明专利]电子零件用钛铜无效
申请号: | 201080053888.5 | 申请日: | 2010-10-18 |
公开(公告)号: | CN102686755A | 公开(公告)日: | 2012-09-19 |
发明(设计)人: | 江良尚彦;堀江弘泰 | 申请(专利权)人: | JX日矿日石金属株式会社 |
主分类号: | C22C9/00 | 分类号: | C22C9/00;C22F1/08;C22F1/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 孔青;李炳爱 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子零件 用钛铜 | ||
1.电子零件用铜合金,其为含有2.0~4.0%质量的Ti、残余部分由铜和不可避免的杂质组成的电子零件用铜合金,在通过电子显微镜对平行于辊轧方向的截面进行的组织观察中,存在含有沿结晶晶界析出的Ti-Cu系粒子的晶界反应相,对于各个晶界反应相而言,包围晶界反应相的最小圆直径D2相对于晶界反应相所包围的最大圆直径D1之比(D2/D1)的平均值Avg(D2/D1)为1.0~6.0,D1的平均值AvgD1为0.4~2.0μm,此外晶界反应相在每1000μm2的观察视野中占1.5~15%的面积。
2.权利要求1的铜合金,其中,在通过电子显微镜对平行于辊轧方向的截面进行的组织观察中,D2的平均值AvgD2为1.0~5.0μm。
3.权利要求1或2的铜合金,其中,在通过电子显微镜对平行于辊轧方向的截面进行的组织观察中,平均结晶粒径以圆当量直径表示为5μm以上、30μm以下,对于包围晶界反应相的各晶粒而言,所述晶粒的晶界所包围的最大圆直径D3的平均值AvgD3为AvgD2<AvgD3。
4.权利要求1~3中任一项的铜合金,作为第3元素合计含有0~0.5%质量的选自Mn、Fe、Mg、Co、Ni、Cr、V、Nb、Mo、Zr、Si、B和P中的1种或2种以上元素。
5.伸铜制品,其由权利要求1~4中任一项的铜合金构成。
6.电子零件,其具备权利要求1~4中任一项的铜合金。
7.连接器,其具备权利要求1~4中任一项的铜合金。
8.电子零件用铜合金的制备方法,所述方法包括:
对于含有2.0~4.0%质量的Ti,作为任选的第3元素合计含有0~0.5%质量的选自Mn、Fe、Mg、Co、Ni、Cr、V、Nb、Mo、Zr、Si、B和P中的1种或2种以上元素,残余部分由铜和不可避免的杂质组成的铜合金原料,于730~880℃下进行加热至Ti的固溶极限与添加量相同的温度以上的固溶化处理,
在固溶化处理之后进行于400~500℃的材料温度下加热0.1~20小时的时效处理,
在时效处理之后进行压缩率为0~40%的冷轧。
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