[发明专利]将湿式处理用于源极-漏极金属蚀刻从而制造金属氧化物或金属氮氧化物TFT的方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管形成方法，包含：

使用第一掩模在一基板上沉积与图案化一栅极电极；

沉积一栅极介电层于该栅极电极上；

沉积一半导体有源层于该栅极介电层上，该半导体有源层包含氧、氮以及选自由锌、铟、镉、镓及锡所构成的群组中的一种或多种元素；

沉积一蚀刻停止层于该有源层上；

形成第二掩模于该蚀刻停止层上；

蚀刻该蚀刻停止层以形成该薄膜晶体管的元件部份的图案化蚀刻停止层，并且从该薄膜晶体管的栅极触点部份移除该蚀刻停止层以暴露该半导体有源层；

移除该第二掩模以暴露该图案化蚀刻停止层；

沉积一金属层于该图案化蚀刻停止层及该半导体有源层上；

于该薄膜晶体管的该元件部份处，形成第三掩模于该金属层上；

蚀刻该金属层，以界定一源极电极与一漏极电极于该元件部份处，并且从该栅极触点部份移除该金属层；

移除该第三掩模；

使用该源极电极与漏极电极做为掩模来蚀刻该半导体有源层，以从该栅极触点部份移除该半导体有源层并且暴露该栅极触点部份中的栅极介电层；以及

使用第四掩模来蚀刻该栅极介电层，以暴露该栅极触点部份中的栅极触点。

2.如权利要求1所述的方法，其中该金属层与该半导体有源层是透过使用一等离子体蚀刻处理而被蚀刻的。

3.如权利要求2所述的方法，其中蚀刻该有源层的步骤包含以下步骤：

将该源极电极、该漏极电极与该图案化蚀刻停止层共同用作一掩模，而无需沉积与移除第五掩模。

4.如权利要求1所述的方法，其中该半导体有源层是透过使用一湿式蚀刻处理而被蚀刻的，而该金属层是透过使用一等离子体蚀刻处理而被蚀刻的。

5.如权利要求1所述的方法，其中该半导体有源层与该金属层是透过使用一湿式蚀刻处理而被蚀刻的。

6.一种薄膜晶体管形成方法，包含：

使用第一掩模在一基板上沉积与图案化一栅极电极；

沉积一栅极介电层于该栅极电极上；

沉积一半导体有源层于该栅极介电层上，该半导体有源层包含氧、氮以及选自由锌、铟、镉、镓及锡所构成的群组中的一种或多种元素；

使用第二掩模图案化该半导体有源层，以在该薄膜晶体管的元件部份中形成一有源沟道并且从该薄膜晶体管的一栅极触点部份移除该半导体有源层并且暴露该栅极触点部份中的栅极介电层；

沉积一蚀刻停止层于该元件部份中的有源沟道上以及该栅极触点部份中的栅极介电层上；

使用第三掩模蚀刻该蚀刻停止层以形成该元件部份中的一图案化蚀刻停止层并且蚀刻穿透该蚀刻停止层以及该栅极触点部份中的栅极介电层以暴露该栅极触点部份中的栅极触点；

沉积一金属层于该图案化蚀刻停止层、该半导体有源层与该栅极触点部份上；以及

以第四掩模蚀刻该金属层，以界定该元件部份处的一源极电极与一漏极电极并且形成在该栅极触点部份处的一金属触点。

7.如权利要求6所述的方法，其中该金属层与该半导体有源层是透过使用一等离子体蚀刻处理而被蚀刻的。

8.如权利要求3所述的方法，其中该半导体有源层是透过使用一湿式蚀刻处理而被蚀刻的，而该金属层是透过使用一等离子体蚀刻处理而被蚀刻的。

9.如权利要求3所述的方法，其中该半导体有源层与该金属层是透过使用一湿式蚀刻处理而被蚀刻的。