[发明专利]显示装置

权利要求书

1.一种显示装置，其特征在于：

所述显示装置在有源矩阵基板的像素区域包括光传感器，

所述光传感器包括：

接受入射光的光检测元件；

向该光传感器供给复位信号的复位信号配线；

向该光传感器供给读出信号的读出信号配线；

存储节点，该存储节点的电位根据在传感期间由所述光检测元件接受的光量而变化，所述传感期间为从供给所述复位信号开始到供给所述读出信号为止的期间；

根据所述读出信号，使所述存储节点的电位放大的放大元件；和

传感器开关元件，其用于将由所述放大元件放大后的电位作为传感器电路输出而读出到输出配线，

对所述光检测元件，在与其受光面相反的一侧设置有遮光膜，

所述遮光膜与供给使该遮光膜固定在恒定电位的电压的电源连接，

当设所述恒定电位为V_LS、所述复位信号的高电平电位为V_RST.H时，V_LS≥V_RST.H。

2.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于：

所述光检测元件是PIN二极管，当设所述PIN二极管的p沟道阈值电压为V_{th_p}时，V_LS≥V_RST.H＋V_{th_p}。

3.如权利要求1或2所述的显示装置，其特征在于：

所述放大元件是可变电容器。

4.如权利要求3所述的显示装置，其特征在于：

所述可变电容器是包含所述读出信号配线、绝缘膜和在硅膜形成的p型半导体区域的MOS电容器。

5.如权利要求3所述的显示装置，其特征在于：

所述可变电容器是包含所述传感器开关元件的栅极电极、绝缘膜和在硅膜形成的n型半导体区域的MOS电容器。

6.如权利要求1～5中任一项所述的显示装置，其特征在于：

所述放大元件是p沟道薄膜晶体管。

7.如权利要求6所述的显示装置，其特征在于：

在所述p沟道薄膜晶体管中，沟道区域形成在连接所述光检测元件和所述存储节点的硅膜的宽幅部，该p沟道薄膜晶体管的栅极电极以与所述宽幅部重叠的方式设置。

8.如权利要求1～5中任一项所述的显示装置，其特征在于：

所述放大元件是n沟道薄膜晶体管。

9.如权利要求1～5中任一项所述的显示装置，其特征在于：

所述放大元件是在沟道上设置有栅极电极的二极管。

10.如权利要求1～9中任一项所述的显示装置，其特征在于：

包括以相对于所述遮光膜和所述光检测元件的寄生电容形成串联电容的方式，与所述遮光膜相对地设置的电极，

所述电极与所述读出配线电连接。

11.如权利要求1～10中任一项所述的显示装置，其特征在于：

在所述像素区域具有多个所述光检测元件，

所述多个光检测元件并联连接，

所述放大元件与所述多个光检测元件的末端的光检测元件连接。

12.如权利要求1～11中任一项所述的显示装置，其特征在于：

所述传感器开关元件是三端子开关元件，

所述三端子之中的栅极电极与所述存储节点连接，

所述三端子之中剩余的两端子中的一个与所述输出配线连接。

13.如权利要求1～12中任一项所述的显示装置，其特征在于：

还包括所述传感器开关元件的复位用开关元件。

14.如权利要求1～13中任一项所述的显示装置，其特征在于：

所述放大元件，在所述读出信号的低电平电位和高电平电位之间，具有该放大元件的开／关转换的阈值电位。

15.如权利要求1～14中任一项所述的显示装置，其特征在于，还包括：

与所述有源矩阵基板相对的相对基板；和

被夹持在所述有源矩阵基板和相对基板之间的液晶。