[发明专利]荧光体、发光装置及使用它的液晶显示装置

权利要求书

1.一种2价的铕活化氮氧化物绿色系发光荧光体，其特征在于，

是如下的β型SiAlON，即，实质上以通式(A)：Eu_aSi_bAl_cO_dN_e表示，平均粒度(d1)(空气透过法)为9～16μm，粒度分布中的中值粒径(50％D)为12.5～35μm，50％D/d1＝1.4～2.2，并且600nm的吸收率为8.0％以下，通式(A)中，a、b、c、d、e是满足0.005≤a≤0.4、b+c＝12、d+e＝16的数。

2.根据权利要求1所述的荧光体，其中，

10μm≤d1≤13μm，50％D/d1＝1.6～2.0，并且600nm的吸收率为7.0％以下。

3.根据权利要求1所述的荧光体，其中，

在通式(A)中，c≥0.3。

4.根据权利要求1所述的荧光体，其中，

在通式(A)中，0.01≤a≤0.2。

5.一种发光装置，其特征在于，具备发出峰值波长为430～480nm的一次光的作为氮化镓系半导体的发光元件、以及吸收所述一次光的一部分并发出具有比一次光的波长更长的波长的二次光的波长转换部，其中

所述波长转换部含有2价的铕活化氮氧化物绿色系发光荧光体，该荧光体是如下的β型SiAlON，即，实质上以通式(A)：Eu_aSi_bAl_cO_dN_e表示，平均粒度(d1)(空气透过法)为9～16μm，粒度分布中的中值粒径(50％D)为12.5～35μm，50％D/d1＝1.4～2.2，并且600nm的吸收率为8.0％以下，通式(A)中，a、b、c、d、e是满足0.005≤a≤0.4、b+c＝12、d+e＝16的数。

6.根据权利要求5所述的发光装置，其中，

就荧光体而言，10μm≤d1≤13μm，50％D/d1＝1.6～2.0，并且600nm的吸收率为7.0％以下。

7.根据权利要求5所述的发光装置，其中，

在通式(A)中，c≥0.3。

8.根据权利要求5所述的发光装置，其中，

在通式(A)中，0.01≤a≤0.2。

9.根据权利要求5所述的发光装置，其中，

在波长转换部中含有实质上以通式(B)：(MI_1-xEu_x)MIISiN₃表示的2价的铕活化氮化物红色系发光荧光体，通式(B)中，MI表示选自Mg、Ca、Sr及Ba中的至少1种碱土类金属元素，MII表示选自Al、Ga、In、Sc、Y、La、Gd及Lu中的至少1种3价的金属元素，x是满足0.001≤x≤0.10的数。

10.根据权利要求5所述的发光装置，其中，

在通式(B)中，MII是选自Al、Ga及In中的至少1种元素。

11.一种背光灯光源装置，其特征在于，包含多个权利要求5所述的发光装置作为点光源。

12.一种液晶显示装置，其特征在于，具备液晶面板和配置于液晶面板的背面的权利要求11所述的背光灯光源装置。