[发明专利]自对准接触部

权利要求书

1.一种晶体管，包括：

衬底；

在所述衬底上的间隔体对；

在所述衬底上且在所述间隔体对之间的栅极电介质层；

在所述栅极电介质层上且在所述间隔体对之间的栅电极层；

在所述栅电极层上并且在所述间隔体对之间的绝缘帽层；以及

邻近所述间隔体对的扩散区对。

2.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述栅极电介质层、所述栅电极层和所述绝缘帽层的组合的高度不超过所述间隔体对的高度。

3.根据权利要求1所述的晶体管，其中沿所述衬底的表面并且沿所述间隔体对的侧壁形成所述栅极电介质层。

4.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述绝缘帽层包括氮化硅、氧化硅、碳化硅、掺杂碳的氮化硅、氮氧化硅或氧化铝。

5.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述绝缘帽层包括氮化物材料、碳化物材料、氧化物材料、金属氧化物材料或低k电介质材料。

6.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述绝缘帽层包括氮化硼或碳化硼。

7.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述绝缘帽层包括掺杂有碳、氮和氢中的一种或多种的低k电介质材料。

8.一种形成晶体管的方法，包括：

在衬底上形成栅极电介质层；

在所述栅极电介质层上形成栅电极层；

在所述栅极电介质层和所述栅电极层的相对侧上形成间隔体对；

邻近所述间隔体对形成扩散区对；

使所述栅电极层凹进；以及

在所述间隔体对内的凹进的栅电极层上形成绝缘帽层。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述绝缘帽层的形成包括：

在所述凹进的栅电极层之上沉积绝缘材料的均厚层；以及

使所述绝缘材料层平坦化，以形成所述绝缘帽层。

10.根据权利要求8所述的方法，还包括：

在形成所述扩散区之后，去除所述栅电极层和所述栅极电介质层，由此在所述间隔体对之间形成沟槽；

沿所述间隔体之间的所述沟槽的侧壁和底表面沉积共形的低k栅极电介质层；以及

在使所述金属栅电极凹进之前在所述低k栅极电介质层上沉积金属栅电极层。

11.根据权利要求8所述的方法，其中所述绝缘帽层包括氮化硅、氧化硅、碳化硅、掺杂碳的氮化硅、氮氧化硅或氧化铝。

12.根据权利要求8所述的方法，其中所述绝缘帽层包括氮化物材料、碳化物材料、氧化物材料、金属氧化物材料或低k电介质材料。

13.根据权利要求8所述的方法，其中所述绝缘帽层包括氮化硼或碳化硼。

14.根据权利要求8所述的方法，其中所述绝缘帽层包括掺杂有碳、氮和氢中的一种或多种的低k电介质材料。

15.一种形成晶体管的方法，包括：

在衬底上形成栅极叠置体，所述栅极叠置体包括栅极电介质层、在所述栅极电介质层上的栅电极层和在所述栅电极层上的绝缘帽层；

在所述栅极叠置体的相对侧上形成间隔体对；以及

邻近所述间隔体对形成扩散区对。

16.根据权利要求15所述的方法，其中所述绝缘帽层包括氮化硅、氧化硅、碳化硅、掺杂碳的氮化硅、氮氧化硅或氧化铝。

17.根据权利要求15所述的方法，其中所述绝缘帽层包括氮化物材料、碳化物材料、氧化物材料、金属氧化物材料或低k电介质材料。

18.根据权利要求15所述的方法，其中所述绝缘帽层包括氮化硼或碳化硼。

19.根据权利要求15所述的方法，其中所述绝缘帽层包括掺杂有碳、氮和氢中的一种或多种的低k电介质材料。

20.一种晶体管，包括：

衬底；

在所述衬底上的间隔体对；

在所述衬底上且在所述间隔体对之间的栅极电介质层；

在所述栅极电介质层上且在所述间隔体对之间的栅电极层；

位于所述栅电极层的顶上的绝缘帽层，所述绝缘帽层在所述间隔体对的顶表面之上横向延伸；以及

邻近所述间隔体对的扩散区对。