[发明专利]蚀刻气体

权利要求书

1.一种蚀刻气体，其供于对由半导体、电介质或金属形成的薄膜进行蚀刻的用途，含有CHF₂COF。

2.根据权利要求1所述的蚀刻气体，其中，半导体或电介质为含硅物质。

3.根据权利要求1或2所述的蚀刻气体，其中，蚀刻气体含有选自O₂、O₃、CO、CO₂、F₂、NF₃、Cl₂、Br₂、I₂、XF_n、CH₄、CH₃F、CH₂F₂、CHF₃、N₂、He、Ar、Ne、Kr中的至少1种气体作为添加物，式XF_n中，X表示Cl、I或Br，n表示1≤n≤7的整数。

4.根据权利要求1或2所述的蚀刻气体，其中，蚀刻气体含有选自CH₄、C₂H₂、C₂H₄、C₂H₆、C₃H₄、C₃H₆、C₃H₈、HI、HBr、HCl、CO、NO、NH₃、H₂、N₂、He、Ar、Ne、Kr中的至少1种气体作为添加物。

5.根据权利要求1～3中任一项所述的蚀刻气体，其中，蚀刻气体含有选自CH₄、CH₃F、CH₂F₂、CHF₃中的至少1种气体作为添加物。

6.一种半导体膜、电介质膜或金属膜的蚀刻方法，其使用权利要求1～4中任一项所述的蚀刻气体。

7.一种蚀刻方法，其包括：实施权利要求6所述的蚀刻方法，接着利用F₂或O₂进行灰化。