[发明专利]使用分隔壁塔分馏器的两阶段加氢加工有效
申请号: | 201080054666.5 | 申请日: | 2010-11-15 |
公开(公告)号: | CN102639679A | 公开(公告)日: | 2012-08-15 |
发明(设计)人: | B·S·乌曼斯基;B·K·斯托博;C·N·洛佩兹;A·T·西姆斯;S·S·史;W·J·特拉西;T·L·希尔伯特;村田晃;P·W·卡米恩斯基 | 申请(专利权)人: | 埃克森美孚研究工程公司 |
主分类号: | C10G65/12 | 分类号: | C10G65/12;C10G65/04;C10G45/02;C10G67/02;C10G47/00;B01D3/14;C10G69/02 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 张蓉珺;林柏楠 |
地址: | 美国新*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 使用 隔壁 分馏器 阶段 加氢 加工 | ||
1.一种生产低硫蒸馏产品的方法,包括:
使原料在第一有效加氢处理条件下加氢处理;
使经加氢处理的原料在分隔壁塔分馏器的第一体积中分馏以至少产生第一产品馏分、第一底部产物馏分和通至分馏器上部未分隔体积的第一共同馏分;
使第一底部产物馏分的一部分在有效加氢加工条件下加氢加工;和
使经加氢加工的第一底部产物馏分在分隔壁塔分馏器的第二体积中分馏以至少产生第二产品馏分、第三产品馏分和通至分馏器上部未分隔体积的第二共同馏分,其中所述第二产品馏分相对于第一产品馏分具有至少一种改善的性能且所述第三产品馏分相对于第一底部产物馏分具有至少一种改善的性能。
2.根据权利要求1的方法,其中:加氢加工包括在脱蜡催化剂存在下在有效催化脱蜡条件下脱蜡;第一产品馏分为第一柴油馏分;第二产品馏分为第二柴油馏分;且第三产品馏分为第二底部产物馏分。
3.根据权利要求1的方法,其进一步包括在加氢处理和分馏步骤之间的包括使经加氢处理的原料在第一有效加氢裂化条件下加氢裂化的加氢裂化步骤,所述第一有效加氢裂化条件包括约200°C至约450°C的温度、约5barg(约0.5MPag)至约300barg(约30MPag)的氢气压力、约0.05hr-1至约10hr-1的LHSV和在加氢裂化过程中消耗的氢气的约2倍至约15倍的氢气处理气体速度,并且其中:加氢加工包括在第二有效加氢裂化条件下加氢裂化而不再循环;第一产品馏分为第一柴油馏分;第二产品馏分为第二柴油馏分;并且第三产品馏分为第二底部产物馏分。
4.根据前述权利要求中任一项的方法,其中所述有效加氢处理条件包括约0.3hr-1至约5.0hr-1的LHSV、约500psig(约3.4MPag)至约3000psig(约20.7MPag)的总压和约650°F(约343°C)至约800°F(约427°C)的温度。
5.根据权利要求4的方法,其中所述有效加氢处理条件包括提供在加氢处理过程中消耗氢气的约2倍至约5倍的氢气量的处理气体速度。
6.根据权利要求3-5中任一项的方法,其中所述有效加氢裂化条件包括约200°C至约450°C的温度、约5barg(约0.5MPag)至约300barg(约30MPag)的氢气压力、约0.05hr-1至约10hr-1的LHSV和在加氢裂化过程中消耗氢气的约2倍至约15倍的氢气处理气体速度。
7.根据前述权利要求中任一项的方法,其中第二产品馏分的硫含量小于第一产品馏分的硫含量,并且其中第三产品馏分的硫含量小于第一底部产物馏分的硫含量。
8.根据前述权利要求中任一项的方法,其中分隔壁高度的选择使得第二产品馏分含有约1重量%或更少的对应于第一产品馏分的材料。
9.根据权利要求2和4-8中任一项的方法,其中脱蜡催化剂包括10元环1-D分子筛。
10.根据权利要求2和4-9中任一项的方法,其进一步包括使经脱蜡的底部产物馏分在有效加氢精制条件下在使经脱蜡的底部产物分馏之前加氢精制,所述有效加氢精制条件包括约125°C至约425°C的温度、约500psig(约3.4MPag)至约3000psig(约20.7MPag)的总压、约0.1hr-1至约5hr-1的LHSV和在加氢精制过程中消耗的氢气的约2倍至约5倍的氢气处理气体速度。
11.根据权利要求2和4-10中任一项的方法,其中所述有效催化脱蜡条件包括约280°C至约380°C的温度、约300psig(约2.1MPag)至约3000psig(约20.7MPag)的压力、约0.1hr-1至约5hr-1的LHSV和在脱蜡过程中消耗的氢气的约2倍至约15倍的氢气处理气体速度。
12.根据前述权利要求中任一项的方法,其中存在如下的一种或多种:第二产品馏分的浊点比第一产品馏分的浊点小至少约10°C;第一产品馏分的硫含量为约15wppm或更少;并且第二底部产物馏分的倾点比第一底部产物馏分的倾点小至少约10°C;
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