[发明专利]外浇铸半导体材料制品的方法有效
| 申请号： | 201080054695.1 | 申请日： | 2010-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN102639759A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | P·马宗达;B·苏曼 | 申请（专利权）人： | 康宁股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B19/06;C30B29/06;C30B11/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 沙永生 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 浇铸 半导体材料 制品 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种制备半导体材料固体层的方法，所述方法包括：
确定固体层的目标厚度；
选择具有至少一个模具属性的模具，使得在将模具浸入熔融半导体材料得到的固体层厚度-浸没时间曲线中，出现在转变时间处的固体层厚度最大值基本上等于目标厚度；以及
将模具浸入熔融半导体材料，再从熔融半导体材料中取出，在模具外表面上形成半导体材料的固体层，其中模具的浸没时间基本上等于转变时间。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述至少一个模具属性选自模具组成、模具厚度和模具初温。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述模具包含熔融二氧化硅、石墨、氮化硅、单晶硅或多晶硅。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述模具厚度约为0.1-100毫米。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述模具初温约为-50℃至1400℃。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，浸入速率约为1-50厘米/秒。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，取出速率约为1-50厘米/秒。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，浸入速率基本上等于取出速率。
9.一种按照权利要求1所述的方法制备的半导体材料固体层。
10.如权利要求9所述的固体层，其特征在于，所述固体层的总厚度变化小于10%。
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