[发明专利]在掺杂区上方清洁和形成带负电荷的钝化层的方法

权利要求书

1.一种钝化太阳能电池基板的表面的方法，所述方法包括：

将形成于基板上的p-型掺杂区的表面暴露于第一RF等离子体，所述第一RF等离子体包括第一处理气体与第一含氟气体；

将所述p-型掺杂区的表面暴露于第二RF等离子体，所述第二RF等离子体包括卤素气体；以及

在将所述表面暴露于所述第二RF等离子体的至少一部分期间，RF偏压所述基板以在所述表面上形成带负电荷层。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述第一处理气体包含氨。

3.如权利要求1所述的方法，还包括在将所述p-型掺杂区的表面暴露于所述第二RF等离子体之前，将所述p-型掺杂区的表面暴露于第三RF等离子体，所述第三RF等离子体包括第二处理气体、第二含氟气体以及含氢气体。

4.如权利要求3所述的方法，其中所述第一处理气体与所述第二处理气体包括氨，而所述第一含氟气体与所述第二含氟气体还包括三氟化氮，并且其中所述第一处理气体与所述第二处理气体中的氨和三氟化氮的摩尔比例在约1∶1和30∶1之间。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述卤素气体包括氟或氯。

6.如权利要求1所述的方法，还包括在所述表面上形成带负电荷层之后，在所述p-型掺杂区的表面上沉积第一含氮化硅层；以及

在所述第一含氮化硅层上沉积第二含氮化硅层。

7.如权利要求1所述的方法，其中所述第二RF等离子体不包含含氢气体。

8.如权利要求1所述的方法，其中在第一处理腔室中执行将所述表面暴露于所述第一RF等离子体的步骤，所述方法还包括：

在将所述p-型掺杂区的表面暴露于所述第二RF等离子体之前，在第二处理腔室中将所述基板加热至高于约75℃的温度；以及

在受控制的环境中在所述第一处理腔室与所述第二处理腔室之间传送所述基板。

9.一种钝化太阳能电池基板的表面的方法，包括：

将形成于n-型基板上的p-型掺杂区的表面暴露于第一RF等离子体，所述第一RF等离子体包括第一处理气体和第一含氟气体；

将所述p-型掺杂区的表面暴露于第二RF等离子体，所述第二RF等离子体包括第二处理气体、第二含氟气体以及含氢气体；

将所述p-型掺杂区的表面暴露于第三RF等离子体，所述第三RF等离子体包含卤素气体；

在将所述表面暴露于所述第三RF等离子体的至少一部分期间，RF偏压所述基板以在所述p-型掺杂区的表面上形成带负电荷层；以及

在形成的带负电荷层上沉积第一含氮化硅层。

10.如权利要求9所述的方法，其中所述第一处理气体与所述第二处理气体包括氨，所述第一含氟气体与所述第二含氟气体包括三氟化氮，并且其中在所述第一处理气体与所述第二处理气体中的氨与三氟化氮的摩尔比例在约1∶1和30∶1之间。

11.如权利要求9所述的方法，其中所述卤素气体包含氟或氯。

12.如权利要求9所述的方法，还包括在所述第一含氮化硅层上沉积第二含氮化硅层。

13.一种钝化太阳能电池基板的表面的方法，包括：

从形成在基板上的p-型掺杂区的表面移除氧化物层；

移除所述基板的所述表面的一部分，该部分的p-型原子浓度大于所述p-型掺杂区中的p-型原子的平均浓度；以及

通过将所述表面暴露于包含氟或氯的RF等离子体来在所述表面上形成带负电荷层。

14.如权利要求13所述的方法，其中在移除所述基板的表面的所述部分之后，并且在将基板表面暴露于含氧气体之前执行形成所述带负电荷层的步骤。

15.如权利要求13所述的方法，其中移除所述表面的所述部分和形成所述带负电荷层还包括：

将两个或更多个基板放置在基板载体上；

将所述两个或更多个基板和所述基板载体放置在等离子体处理腔室的处理区中；以及

利用在处理表面上方产生的电容耦合等离子体移除所述基板的表面的一部分，并同时在所述两个或更多个基板上形成所述带负电荷层。