[发明专利]层叠型陶瓷电容器有效

专利信息
申请号: 201080055237.X 申请日: 2010-12-10
公开(公告)号: CN102652342A 公开(公告)日: 2012-08-29
发明(设计)人: 福永大树;冈岛健一;山下泰治;村西直人;田中秀明 申请(专利权)人: 株式会社村田制作所
主分类号: H01G4/12 分类号: H01G4/12;H01G4/30
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 樊建中
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 层叠 陶瓷 电容器
【说明书】:

技术领域

本发明涉及层叠型陶瓷电容器。特别地,本发明涉及具备陶瓷烧结体、和在陶瓷烧结体的内部隔着陶瓷层而彼此对置地交替设置的多个第1以及第2内部电极的层叠型陶瓷电容器。

背景技术

现有技术中,在便携式电话、笔记本型计算机等的电子设备中,例如较多地使用了层叠陶瓷电容器。

近年来,搭载有层叠型陶瓷电容器的电子设备的小型化以及高性能化不断进展,针对层叠型陶瓷电容器的小型化以及大容量化也不断进展。例如,作为现有的10~100μF的大容量电容器,虽然主流是铝电解电容器或钽电容器,但使用层叠型陶瓷电容器的也日渐增加。

一般,层叠型陶瓷电容器的静电电容与电介质层的相对介电常数、内部电极的对置面积、内部电极的层叠片数成正比,与电介质层的厚度成反比。因此,为了在确定的尺寸内得到较大的静电电容,需要使内部电极的层叠片数较多、电介质层的厚度较薄,但存在烧结时容易导致裂纹、剥离等的缺陷的问题。鉴于此,例如,在下述的专利文献1等中,提出了即使将陶瓷生片以及内部电极薄层化、高层叠化也能在烧制时防止裂纹、剥离等的构造缺陷的各种手段。

先行技术文献

专利文献

专利文献1:JP特开2003-318060号公报

发明的概要

发明要解决的课题

但是,陶瓷层较薄、层叠数较多的层叠型电容器存在会由于在焊锡焊接时等所施加的热冲击而容易产生裂纹的问题。

发明内容

本发明鉴于相关问题点而提出,其目的在于提供一种小型、大容量,且不易引起热冲击导致的裂纹的层叠型陶瓷电容器。

用于解决课题的手段

本发明所涉及的层叠型陶瓷电容器具备长方体状的陶瓷烧结体和第1以及第2内部电极。陶瓷烧结体包含层叠的多个陶瓷层。陶瓷烧结体具有:沿着长度方向和与长度方向垂直的宽度方向而延伸的第1以及第2主面、沿着与长度方向以及宽度方向的两个方向而垂直的厚度方向和长度方向而延伸的第1以及第2侧面、沿着宽度方向以及厚度方向而延伸的第1以及第2端面。第1以及第2内部电极,在陶瓷烧结体的内部,隔着陶瓷层,在第3方向上彼此对置地交替设置。陶瓷层中的设在第1内部电极和第2内部电极之间的陶瓷层的层数为232以上。所述陶瓷烧结体包含:内层部,其在从厚度方向观察时,与第1以及第2内部电极对置;外层部,其位于厚度方向上的内层部的两侧,未设有第1以及第2内部电极的任一者;和侧间隙部,其位于宽度方向上的内层部的两侧,未设有所述第1以及第2内部电极中的任一者。陶瓷烧结体中的第1以及第2内部电极所占的体积比例为0.37以上。宽度方向上的各侧间隙部的尺寸为40μm以下。

发明的效果

在本发明中,陶瓷层中的设在第1内部电极和第2内部电极之间的陶瓷层的层数N为232以上。因此,本发明所涉及的层叠型陶瓷电容器陶瓷层的层叠数较多、小型、且高性能。另外,陶瓷烧结体中的第1以及第2内部电极所占的体积比例为0.37以上。另外,宽度方向上的侧间隙部的尺寸为40μm以下。因此,本发明所涉及的层叠型陶瓷电容器中不易产生裂纹。

附图说明

图1是本发明的一个实施方式所涉及的陶瓷电容器的概略的立体图。

图2是图1的线II-II的概略的截面图。

图3是图2的线III-III的概略的截面图。

图4是图2的线IV-IV的概略的截面图。

图5是印刷有导体图案的陶瓷生片的概略的俯视图。

图6是陶瓷部件的概略的立体图。

图7是表示在两侧面上形成陶瓷层的工序的概略的立体图。

具体实施方式

下面,作为实施本发明的优选的形态的其它的例子,说明图1所示的陶瓷电容器1。但是,本发明的陶瓷电容器并不受到陶瓷电容器1的任何限定。

图1是本发明的一个实施方式所涉及的陶瓷电容器的概略的立体图。图2是图1的线II-II的概略的截面图。图3是图2的线III-III的概略的截面图。图4是图2的线IV-IV的概略的截面图。

如图1所示,本实施方式的陶瓷电容器1具备长方体状的陶瓷烧结体10。陶瓷烧结体10具备:第1以及第2主面10a、10b、第1以及第2侧面10c、10d、以及第1以及第2端面10e、10f。第1以及第2主面10a、10b沿着长度方向L以及宽度方向W延伸。第1以及第2侧面10c、10d沿着长度方向L以及厚度方向T延伸。第1以及第2端面10e、10f沿着宽度方向W以及厚度方向T延伸。

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