[发明专利]在高剂量植入剥除前保护硅的增强式钝化工艺

权利要求书

1.一种在反应腔室中从工件表面移除材料的方法，所述方法包括：

使所述工件暴露于从成形气体产生的等离子体；

在使所述工件暴露于所述成形气体等离子体之后，允许晶片安置于非等离子体环境中持续至少30秒的时间周期；

及在允许所述晶片安置之后，使所述晶片暴露于基于氧气或基于氢气的等离子体以移除所述材料。

2.根据权利要求1所述的方法，其中允许所述工件安置至少100秒。

3.根据权利要求1所述的方法，其中允许所述工件安置至少150秒。

4.根据权利要求1所述的方法，其中允许所述工件安置至少200秒。

5.根据权利要求1所述的方法，其中允许所述工件安置至少220秒。

6.根据权利要求1到5中任一权利要求所述的方法，其中所述基于氧气或基于氢气的等离子体包括氟物质。

7.根据权利要求1到6中任一权利要求所述的方法，其中从所述工件表面移除的所述材料包括高剂量植入的抗蚀剂。

8.根据权利要求1到7中任一权利要求所述的方法，其中远程产生所述成形气体等离子体。

9.根据权利要求1到8中任一权利要求所述的方法，其中在所述工件暴露于所述成形气体等离子体之后在所述工件的所暴露硅部分上形成保护膜。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述保护膜是Si_xN_y膜。

11.根据权利要求1所述的方法，其中在光刻操作之后执行暴露所述工件。

12.一种用于从工件表面移除材料的设备，其包括：

反应腔室，其包括：

等离子体源，

喷洒头，其定位于所述等离子体源的下游，及

所述喷洒头的下游的工件支撑件，所述工件支撑件包括基座及控制支撑于所述工件支撑件上的工件的温度的温度控制机构；及

控制器，其用于执行指令集，所述指令集包括如下指令：使所述工件暴露于从成形气体产生的等离子体；在使所述工件暴露于所述成形气体等离子体之后允许所述工件安置于非等离子体环境中持续至少30秒的时间周期；及在允许所述工件安置之后使所述晶片暴露于基于氧气或基于氢气的等离子体以移除所述材料。

13.根据权利要求12所述的设备，其中所述控制器指令包括允许所述工件安置至少100秒的指令。

14.根据权利要求12所述的设备，其中所述控制器指令包括允许所述工件安置至少100秒的指令。

15.根据权利要求12所述的设备，其中所述控制器指令包括允许所述工件安置至少150秒的指令。

16.根据权利要求12所述的设备，其中所述控制器指令包括允许所述工件安置至少200秒的指令。

17.根据权利要求12所述的设备，其中所述控制器指令包括允许所述工件安置至少220秒的指令。