[发明专利]用于制造应用于XUV波长范围的具有横向图案的多层结构的方法以及根据该方法制造的BF结构和LMAG结构

权利要求书

1.用于制造具有横向图案的多层结构的方法，尤其是应用于电磁辐射波长处于0.1nm到100nm之间波长范围的光学器件的光栅的制造方法，所述方法包括以下步骤：

（i）设置多层结构，以及

（ii）在所述多层结构中布置横向三维图案，其特征在于，

通过纳米压印光刻（NIL）方法来执行布置所述横向图案的步骤（ii）。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述纳米压印光刻（NIL）方法至少包括以下步骤：

（a）设置具有与待布置的所述横向三维图案对应的模具图案的模具，

（b）将可固化抗蚀剂材料层涂敷到所述多层结构上，

（c）在根据步骤（b）涂敷的所述抗蚀剂材料层中，使用所述模具布置所述模具图案，并且固化该材料，以及

（d）按照所述模具图案，从所述多层结构中去除未被或至少实质上未被抗蚀剂材料覆盖的材料，同时在所述多层结构中形成所述横向三维图案。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，按照反应离子蚀刻（RIE）方法，执行根据步骤（d）的材料去除。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，通过感应耦合等离子体（ICP）的方式，执行步骤（d）中的材料去除。

5.根据权利要求2所述的方法，其中，按照博世蚀刻方法，执行步骤（d）中的材料去除。

6.根据权利要求2所述的方法，其中，在步骤（d）中待要在所述多层结构中形成的所述横向三维图案具有从所述多层结构的表面开始呈楔形扩大的形式。

7.根据权利要求2所述的方法，其中，在步骤（d）中待要在所述多层结构中形成的所述横向三维图案具有从所述多层结构的表面开始呈楔形缩小的形式。

8.根据权利要求2至7中任意一个所述的方法，其中，根据步骤（b）的待涂敷的所述抗蚀剂材料是在固化状态下粘度相对低的UV可固化塑料。

9.根据前述权利要求中任意一个所述的方法，其中，布置所述横向图案的步骤（ii）之后是在所述三维图案上涂敷盖层的步骤（iii）。

10.根据权利要求1至9中任意一个所述的方法制造的具有周期性横向图案的多层结构，其特征在于，所述周期小于1μm。

11.根据权利要求1至9中任意一个所述的方法制造的BF结构，其特征在于，所述多层结构包括由来自第一群组的第一材料构成的多个层和由来自第二群组的第二材料构成的多个层形成的层叠结构，所述第一群组包括碳（C）和硅（Si），所述第二群组包括来自过渡元素群组的材料，所述过渡元素来自元素周期系的第四周期、第五周期以及第六周期。

12.根据权利要求11所述的BF结构，其特征在于，所述第二材料构成的多个层是选自包括钴（Co）、镍（Ni）、钼（Mo）、钨（W）、铼（Re）以及铱（Ir）的过渡元素群组。

13.根据权利要求1至9中任意一个所述的方法制造的LMAG结构，其特征在于，所述多层结构包括由来自第一群组的第一材料构成的多个层以及由来自第二群组的第二材料构成的多个层形成的层叠结构，所述第一群组包括硼（B）、一碳化四硼（B₄C）、碳（C）、硅（Si）以及钪（Sc），所述第二群组包括来自过渡元素群组的材料，所述过渡元素来自元素周期系的第四周期、第五周期以及第六周期。

14.根据权利要求13所述的LMAG结构，其特征在于，所述多层结构选自包括由如下材料的多个层形成的层叠结构的群组：钨和硅（W/Si）、钨和一碳化四硼（W/B₄C）、钼和一碳化四硼（Mo/B₄C）、镧和一碳化四硼（La/B₄C）、铬和碳（Cr/C）、铁和钪（Fe/Sc）、铬和钪（Cr/Sc）、镍和碳（Ni/C）以及镍钒和碳（NiV/C）。

15.根据权利要求14所述的LMAG结构，其中，所述多层结构包括由镧和一碳化四硼（La/B₄C）构成的多个层形成的层叠结构，其特征在于，由镧和一碳化四硼构成的多个层被由硼化镧（LaB）构成的多个层分开。