[发明专利]硅膜和锂二次电池

权利要求书

1.一种硅膜，其具有柱状集合体，所述柱状集合体是由Si或Si化合物构成的柱状结构体的集合体。

2.根据权利要求1所述的硅膜，其中，柱状结构体的侧面彼此接触而构成柱状集合体。

3.根据权利要求1或2所述的硅膜，其中，柱状结构体在硅膜的膜厚方向上生长。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的硅膜，其中，柱状结构体的纵横尺寸比为20以上。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的硅膜，具有多个柱状集合体。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的硅膜，其中，柱状结构体的直径为10～100nm，膜厚为0.2～100μm。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的硅膜，在柱状结构体彼此之间，具有与柱状结构体平行的方向上的0.3～10nm的空隙。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的硅膜，其在二次柱状集合体之间具有与柱状集合体平行的方向上的宽0.01～3μm的龟裂，所述龟裂的间隔为1～100μm，所述二次柱状集合体为柱状集合体彼此的集合体。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的硅膜，其中，柱状结构体为多结晶物质或无定形物质。

10.一种硅膜，其具有柱状集合体，所述柱状集合体是由Si或Si化合物构成的柱状结构体的集合体，所述柱状结构体为粒子连接成柱状而成的结构。

11.根据权利要求10所述的硅膜，其中，粒子的直径为10～1000nm。

12.根据权利要求10或11所述的硅膜，具有多个柱状集合体。

13.根据权利要求1～12中任一项所述的硅膜，是与基板相接而形成的。

14.根据权利要求13所述的硅膜，其中，基板的材质含有选自铜、镍、铁、钴、铬、锰、钼、铌、钨、钛和钽中的1种以上的元素。

15.一种硅膜的制造方法，是使用由Si或Si化合物构成的蒸镀源，将硅膜蒸镀在基板上的硅膜的制造方法，

其中，蒸镀源的温度为1700K以上，基板温度比蒸镀源的温度低，并且蒸镀源的温度与基板温度之差为700K以上。

16.根据权利要求15所述的硅膜的制造方法，其中，蒸镀源与基板之间的距离D比从基板的垂直方向所看到的基板的最小径P更小。

17.根据权利要去15或16所述的硅膜的制造方法，其中，Si原子的平均自由行程λ比蒸镀源与基板之间的距离D更小。

18.根据权利要求15～17中任一项所述的硅膜的制造方法，其中，Si原子的平均自由行程λ为蒸镀源与基板之间的距离D的1/10以下。

19.根据权利要求15～18中任一项所述的硅膜的制造方法，其中，制膜速度为0.1μm/分钟～200μm/分钟。

20.根据权利要求15～19中任一项所述的硅膜的制造方法，其中，基板的材质含有选自铜、镍、铁、钴、铬、锰、钼、铌、钨、钛和钽中的1种以上的元素。

21.一种硅膜蒸镀装置，其是用于使用由Si或Si化合物构成的蒸镀源在基板上蒸镀硅膜的硅膜蒸镀装置；

所述硅膜蒸镀装置具备以使蒸镀源的温度达到1700K以上的方式对蒸镀源进行加热的机构、和以使基材温度达到比蒸镀源的温度低的温度的方式对基板进行冷却的机构，

并且所述硅膜蒸镀装置能够以使蒸镀源的温度与基板温度之差达到700K以上的方式设定蒸镀源的温度和基板温度。

22.根据权利要求21所述的硅膜蒸镀装置，其能够将从基板的垂直方向所看到的基板的最小径P设定为比蒸镀源与基板之间的距离D更大。

23.根据权利要求21或22所述的硅膜蒸镀装置，其具备载气的供给机构，且能够在使Si原子的平均自由行程λ比蒸镀源与基板之间的距离D更小的条件下进行蒸镀。

24.根据权利要求21～23中任一项所述的硅膜的蒸镀装置，能够将制膜速度设定为0.1μm/分钟～200μm/分钟。

25.一种电极，具有权利要求1～14中任一项所述的硅膜。