[发明专利]磁性材料溅射靶有效
| 申请号： | 201080056188.1 | 申请日： | 2010-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN102652184A | 公开（公告）日： | 2012-08-29 |
| 发明（设计）人： | 荒川笃俊 | 申请（专利权）人： | 吉坤日矿日石金属株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C22C19/03;C22C19/07;C22C38/00;G11B5/851 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王海川;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 磁性材料 溅射 | ||
1.一种磁性材料溅射靶，通过熔炼、铸造法得到且含有B，其特征在于，
B的含量为10原子%以上且50原子%以下，其余包含选自Co、Fe和Ni的一种以上元素，靶中的氧含量为100重量ppm以下，没有龟裂和破裂。
2.如权利要求1所述的磁性材料溅射靶，其特征在于，
含有0.5原子%以上且10原子%以下的选自Al、Cu、Mn、Nb、Ta和Zr的一种以上元素。
3.如权利要求1或2所述的磁性材料溅射靶，其特征在于，
将靶中任意1mm见方内的主要成分元素，特别是将硼(B)的组成设为Am时，Am与整个靶的该成分的组成A的偏差(Am-A)/A为0.01以下。
4.一种磁性材料溅射靶的制造方法，其特征在于，
将B的含量为10原子%以上且50原子%以下、其余包含选自Co、Fe和Ni的一种以上元素的原料熔炼、铸造而制作锭，并将其切割和机械加工而制成靶。
5.如权利要求4所述的磁性材料溅射靶的制造方法，其特征在于，熔炼后，以30~60℃/分钟骤冷而制作锭。
6.如权利要求5所述的磁性材料溅射靶的制造方法，其特征在于，
在B为30原子%以下的情况下，将骤冷后的锭在800~1100℃的范围进一步进行热处理，在B超过30原子%的情况下，将骤冷后的锭在850~1150℃的范围进一步进行热处理。
7.如权利要求6所述的磁性材料溅射靶的制造方法，其特征在于，
热处理后，进行切割和机械加工而制成靶。
8.如权利要求4~7中任一项所述的磁性材料溅射靶的制造方法，其特征在于，
靶中的氧含量为100重量ppm以下。
9.如权利要求4~8中任一项所述的磁性材料溅射靶的制造方法，其特征在于，
含有0.5原子%以上且10原子%以下的选自Al、Cu、Mn、Nb、Ta和Zr的一种以上元素。
10.如权利要求4~9中任一项所述的磁性材料溅射靶的制造方法，其特征在于，
将靶中任意1mm见方内的主要成分元素，特别是硼(B)的组成设为Am时，Am与整个靶的该成分的组成A的偏差(Am-A)/A为0.01以下。
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