[发明专利]静电卡盘装置有效
| 申请号： | 201080056197.0 | 申请日： | 2010-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN102741996A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木康晴;增泽健二;真壁晓之;小坂井守;佐藤隆;石村和典;早原龙二;河野仁 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社;住友大阪水泥股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/3065;H01L21/31 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 谢丽娜;关兆辉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 静电 卡盘 装置 | ||
1.一种静电卡盘装置，其特征在于，
包括：静电卡盘部，将一个主面作为放置板状试料的放置面，并且内置有静电吸附用内部电极；
环状的聚焦环部，设置成包围上述静电卡盘部；和
冷却基部，设置在上述静电卡盘部的另一主面侧，用于冷却上述静电卡盘部和上述聚焦环部，
上述聚焦环部包括：聚焦环；陶瓷板，设于该聚焦环和上述冷却基部之间；由非磁性体构成的加热器部，设于该陶瓷板和上述冷却基部之间；和电极部，向该加热器部供电。
2.根据权利要求1所述的静电卡盘装置，其特征在于，上述陶瓷板为环状陶瓷板、对环状陶瓷板在周向上进行分割而成的多个陶瓷片、以及对环状陶瓷板在半径方向上进行分割而成的多个环状陶瓷片中的任意一种。
3.根据权利要求1或2所述的静电卡盘装置，其特征在于，上述加热器部为片状的加热器部。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的静电卡盘装置，其特征在于，上述加热器部通过第1绝缘性粘接剂层固定于上述陶瓷板，并通过第2绝缘性粘接剂层固定于上述冷却基部，而且，通过上述第1绝缘性粘接剂层和第2绝缘性粘接剂层绝缘。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的静电卡盘装置，其特征在于，在上述冷却基部和上述加热器部之间设有绝缘性的陶瓷膜或绝缘性的有机薄膜。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的静电卡盘装置，其特征在于，在上述聚焦环部设置温度测定机构。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的静电卡盘装置，其特征在于，上述加热器部的电导率为0.5×106S/m以上且20×106S/m以下，热膨胀率为0.1×10-6/K以上且100×10-6/K以下。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的静电卡盘装置，其特征在于，上述加热器部由钛或钛合金构成。
9.根据权利要求1～8中任一项所述的静电卡盘装置，其特征在于，上述陶瓷板具有绝缘性，且导热系数为1W/mK以上。
10.根据权利要求1～9中任一项所述的静电卡盘装置，其特征在于，上述加热器部和上述冷却基部之间的传热系数为400W/m2K以上且10000W/m2K以下。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
