[发明专利]带反射层的EUV光刻用衬底、EUV光刻用反射型掩模坯料、EUV光刻用反射型掩模、和该带反射层的衬底的制造方法

权利要求书

1.一种带反射层的EUV光刻用衬底，其特征在于，其在衬底上依次形成有用于反射EUV光的反射层和用于保护该反射层的保护层，

所述反射层为Mo/Si多层反射膜，

所述保护层为Ru层或Ru化合物层，

在所述反射层与所述保护层之间形成有含有0.5~25at%的氮且含有75~99.5at%的Si的中间层。

2.根据权利要求1所述的带反射层的EUV光刻用衬底，其中，所述由Mo/Si多层反射膜构成的反射层的最上层为Si膜，所述中间层与该Si膜面接触而形成。

3.根据权利要求1或2所述的带反射层的EUV光刻用衬底，其中，所述中间层的膜厚为0.2~2.5nm。

4.根据权利要求1~3中任一项所述的带反射层的EUV光刻用衬底，其中，所述保护层表面的表面粗糙度rms为0.5nm以下。

5.根据权利要求1~4中任一项所述的带反射层的EUV光刻用衬底，其中，所述保护层的膜厚为1~10nm。

6.一种EUV光刻用反射型掩模坯料，其在权利要求1~5中任一项所述的带反射层的衬底的保护层上形成吸收体层而成。

7.根据权利要求6所述的EUV光刻用反射型掩模坯料，其中，所述吸收体层由以钽（Ta）为主要成分的材料形成。

8.根据权利要求6或7所述的EUV光刻用反射型掩模坯料，其中，使用氯系气体作为蚀刻气体来实施干式蚀刻时的所述保护层与所述吸收体层的蚀刻选择比为10以上。

9.根据权利要求6~8中任一项所述的EUV光刻用反射型掩模坯料，其中，在所述吸收体层上设置有由以钽（Ta）为主要成分的材料形成的、对用于检查掩模图案的检查光为低反射的低反射层。

10.根据权利要求9所述的EUV光刻用反射型掩模坯料，其中，相对于用于检查形成于吸收体层的图案的光的波长，在所述保护层表面的反射光与在所述低反射层表面的反射光的反差为30%以上。

11.一种EUV光刻用反射型掩模，其是将权利要求6~10中任一项所述的EUV掩模坯料进行图案化而得到的。

12.一种带反射层的EUVL用衬底的制造方法，其特征在于，该方法通过在衬底的成膜面上形成用于反射EUV光的多层反射膜之后，在所述多层反射膜上形成该多层反射膜的保护层来制造带反射层的EUV光刻（EUVL）用衬底，

所述多层反射膜为Mo/Si多层反射膜，

所述保护层为Ru层或Ru化合物层，

形成所述Mo/Si多层反射膜后，将该Mo/Si多层反射膜的最上层即Si层表面暴露于含氮气氛中而不暴露于大气中，之后形成所述保护层。

13.根据权利要求12所述的带反射层的EUVL用衬底的制造方法，其中，所述含氮气氛的氮分压（Torr）与暴露时间（s）的乘积为1×10^-6Torr·s以上，该含氮气氛的温度为0~170℃。

14.根据权利要求12所述的带反射层的EUVL用衬底的制造方法，其中，所述含氮气氛的氮分压（Torr）与暴露时间（s）的乘积为1×10^-6Torr·s以上，该含氮气氛的温度为0~160℃。

15.根据权利要求12所述的带反射层的EUVL用衬底的制造方法，其中，所述含氮气氛的氮分压（Torr）与暴露时间（s）的乘积为1×10^-6Torr·s以上，该含氮气氛的温度为0~150℃。

16.根据权利要求12~15中任一项所述的带反射层的EUVL用衬底的制造方法，其中，将所述Si层表面暴露于含氮气氛中时，将所述含氮气氛保持在等离子态、或对该Si层表面进行热处理、或对该Si层表面照射紫外线。

17.一种半导体集成电路的制造方法，其特征在于，其通过使用权利要求11所述的EUV光刻用反射型掩模对被曝光体进行曝光来制造半导体集成电路。