[发明专利]多环稠环化合物以及使用该多环稠环化合物的有机薄膜晶体管

权利要求书

1.一种下式(1)表示的有机薄膜晶体管用化合物，

式(1)中，X₁分别为氧原子或N-R₁₃表示的基团；

R₁～R₁₃分别为氢原子、卤原子、碳数1～30的烷基、碳数1～30的卤代烷基、碳数1～30的烷氧基、碳数1～30的卤代烷氧基、碳数1～30的烷基硫基、碳数1～30的卤代烷基硫基、碳数1～30的烷基氨基、碳数2～60的二烷基氨基、碳数1～30的烷基磺酰基、碳数1～30的卤代烷基磺酰基、碳数3～60的芳基、碳数3～20的烷基甲硅烷基、碳数5～60的烷基甲硅烷基乙炔基、碳数3～60的芳基氨基、碳数6～120的二芳基氨基或氰基，上述各基团可以具有取代基，其中，所述碳数2～60的二烷基氨基中的烷基可以相互键合而形成含有氮原子的环结构；

在X₁均为N-R₁₃表示的基团的情况下，2个R₁₃可以相同或不同。

2.一种下式(2)表示的多环稠环化合物；

式(2)中，X₂分别为氧原子或N-R₃₃表示的基团；

R₂₁～R₃₂分别为氢原子、卤原子、碳数1～30的烷基、碳数1～30的卤代烷基、碳数1～30的烷氧基、碳数1～30的卤代烷氧基、碳数1～30的烷基硫基、碳数1～30的卤代烷基硫基、碳数1～30的烷基氨基、碳数2～60的二烷基氨基、碳数1～30的烷基磺酰基、碳数1～30的卤代烷基磺酰基、碳数3～60的芳基、碳数3～20的烷基甲硅烷基、碳数5～60的烷基甲硅烷基乙炔基、碳数3～60的芳基氨基、碳数6～120的二芳基氨基或氰基，上述各基团可以具有取代基，其中，所述碳数2～60的二烷基氨基中的烷基可以相互键合而形成含有氮原子的环结构；

R₃₃为卤原子、碳数1～30的烷基、碳数1～30的卤代烷基、碳数1～30的烷氧基、碳数1～30的卤代烷氧基、碳数1～30的烷基硫基、碳数1～30的卤代烷基硫基、碳数1～30的烷基氨基、碳数2～60的二烷基氨基、碳数1～30的烷基磺酰基、碳数1～30的卤代烷基磺酰基、碳数3～60的芳基、碳数3～20的烷基甲硅烷基、碳数5～60的烷基甲硅烷基乙炔基、碳数3～60的芳基氨基、碳数6～120的二芳基氨基或氰基，上述各基团可具有取代基，其中，所述碳数2～60的二烷基氨基中的烷基可相互键合而形成含有氮原子的环结构；

在X₂均为N-R₃₃表示的基团的情况下，2个R₃₃可以相同或不同。

3.一种有机薄膜晶体管用材料，其特征在于，含有权利要求1或2所述的式(1)或式(2)表示的化合物。

4.一种有机薄膜晶体管，其是在基板上至少设置有栅电极、源电极和漏电极这三个端子、绝缘体层以及有机半导体层，且通过对栅电极施加电压来控制源极与漏极之间的电流的有机薄膜晶体管；

其中，所述有机半导体层含有权利要求1或2所述的式(1)或式(2)表示的化合物。

5.根据权利要求4所述的有机薄膜晶体管，其利用流过源极与漏极之间的电流而进行发光，且通过对栅电极施加电压来控制发光。

6.根据权利要求5所述的有机薄膜晶体管，其中，

源电极和漏电极中的一个电极包含功函数4.2eV以上的物质，另一个电极包含功函数4.3eV以下的物质。

7.根据权利要求4～6中任一项所述的有机薄膜晶体管，其在源电极与有机半导体层之间以及在漏电极与有机半导体层之间具有缓冲层。

8.一种装置，其具有权利要求4～7中任一项所述的有机薄膜晶体管。