[发明专利]固化无碳可流动CVD膜

权利要求书

1.一种在基材加工室内的无等离子体基材加工区域中的基材上形成含硅-氧的层的方法，所述方法包括：

在所述基材上沉积无碳含硅-氮-和-氢的层；以及

在含臭氧的气氛中，在固化温度条件下对所述含硅-氮-和-氢-的层进行固化，使得所述含硅-氮-和-氢的层转化为氧化硅层。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述无碳含硅-氮-和-氢的层通过以下方式形成:

使得含氮-和/或-氢的前体流入等离子体区域，制得自由基-氮-和/或-氢前体;

在无等离子体的基材加工区域内，将无碳含硅前体与所述自由基-氮-和/或-氢前体合并;以及

在所述基材上沉积无碳含硅-氮-和-氢的层。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述固化温度约等于或低于400℃。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述固化温度约等于或低于200℃。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在固化操作过程中，所述固化温度从约等于或低于250℃升高到高于400℃的较高温度，从而进一步将所述无碳含硅-氮-和-氢的层转化为氧化硅层。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述含臭氧的气氛还包含水蒸气(H₂O)，同时基材处于较高的温度。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述含氮-和/或-氢的气体包括以下物质中的至少一种：N₂H₂,NH₃,N₂和H₂。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述含氮-和/或-氢的前体含氮，所述无碳含硅前体基本不含氮。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述含氮-和/或-氢的前体不含氮，所述无碳含硅前体含氮。

10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述无碳含硅的前体包括含硅-氮的前体。

11.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述无碳含硅前体包括N(SiH₃)₃。

12.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述无碳含硅-氮-和-氢的层包括Si-N键和Si-H键。

13.如权利要求1所述的方法，所述方法还包括在含氧气氛中，使得基材的温度升高到约等于或高于600℃的氧退火温度。

14.如权利要求13所述的方法，其特征在于，所述含氧气氛包括选自下组的一种或多种气体：原子氧、臭氧、二氧化氮和水蒸气(H₂O)。

15.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基材是图案化的，包括宽度约等于或小于50纳米的沟槽。

16.如权利要求15所述的方法，其特征在于，所述沟槽中的氧化硅层是基本无孔穴的。

17.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述等离子体区域位于远程等离子体系统中。

18.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述等离子体区域是用莲蓬头与无等离子体基材加工区域隔开的基材加工室的隔离部分。

19.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧化硅主要由硅和氧组成。