[发明专利]光掩模坯料及光掩模的制造方法

权利要求书

1.一种光掩模坯料，其特征在于，

在含有铬、在氟类干式蚀刻中不受到实质性的蚀刻并且在含氧氯类干式蚀刻中能够蚀刻的第1膜之上，层叠不含有铬、在氟类干式蚀刻及含氧氯类干式蚀刻中能够蚀刻的第2膜。

2.如权利要求1所述的光掩模坯料，其特征在于，

上述第1膜是膜厚为30nm以上120nm以下的遮光膜、膜厚为2nm以上30nm以下的防反射膜、以及硬掩模膜的至少其一。

3.如权利要求1所述的光掩模坯料，其特征在于，

上述第1膜是以铬氧化物、铬氮化物或铬氮氧化物为主成分的金属化合物膜、或以铬为主成分的金属膜、或以铬为主成分的合金膜。

4.如权利要求1所述的光掩模坯料，其特征在于，

在上述第2膜之下，设有在含氧氯类干式蚀刻中不受到实质性的蚀刻并且在氟类干式蚀刻中能够蚀刻的遮光膜、防反射膜、硬掩模膜、移相膜及透明性基板的某一个。

5.如权利要求1所述的光掩模坯料，其特征在于，

上述第2膜的膜厚是0.5nm以上10nm以下。

6.如权利要求1所述的光掩模坯料，其特征在于，

上述第2膜含有过渡金属。

7.如权利要求6所述的光掩模坯料，其特征在于，

上述过渡金属是从钼、钽、钨、锆、铪、钒及铌中选择的。

8.如权利要求6所述的光掩模坯料，其特征在于，

上述第2膜的原子组成是，相对于过渡金属与硅的合计，上述过渡金属是10原子%以上。

9.如权利要求1所述的光掩模坯料，其特征在于，

上述第2膜是含有过渡金属的硅氧化物、硅氮化物或硅氮氧化物。

10.如权利要求1所述的光掩模坯料，其特征在于，

在上述第2膜之上，形成有膜厚为50nm以上350nm以下的抗蚀剂膜。

11.一种光掩模的制造方法，其特征在于，包括如下工序：

准备光掩模坯料，该光掩模坯料在含有铬、在氟类干式蚀刻中不受到实质性的蚀刻并且在含氧氯类干式蚀刻中能够蚀刻的第1膜之上，形成有不含有铬、在氟类干式蚀刻及含氧氯类干式蚀刻中能够蚀刻的第2膜；

在上述第2膜上形成具有图案的抗蚀剂；

使用上述抗蚀剂作为掩模，用含氧氯类干式蚀刻将上述第1膜及上述第2膜蚀刻。

12.如权利要求11所述的光掩模的制造方法，其特征在于，

上述第1膜是膜厚为30nm以上120nm以下的遮光膜、膜厚为2nm以上30nm以下的防反射膜、以及硬掩模膜的至少其一。

13.如权利要求11所述的光掩模的制造方法，其特征在于，

上述第1膜是以铬氧化物、铬氮化物或铬氮氧化物为主成分的金属化合物膜、或以铬为主成分的金属膜或合金膜。

14.如权利要求11所述的光掩模的制造方法，其特征在于，

在上述第2膜之下，设有在含氧氯类干式蚀刻中不受到实质性的蚀刻并且在氟类干式蚀刻中能够蚀刻的遮光膜、防反射膜、硬掩模膜、移相膜及透明性基板的某一个。

15.如权利要求11所述的光掩模的制造方法，其特征在于，

上述第2膜的膜厚是0.5nm以上10nm以下。

16.如权利要求11所述的光掩模的制造方法，其特征在于，

上述第2膜含有过渡金属。

17.如权利要求16所述的光掩模的制造方法，其特征在于，

上述过渡金属是从钼、钽、钨、锆、铪、钒及铌中选择的。

18.如权利要求16所述的光掩模的制造方法，其特征在于，

上述第2膜的原子组成是，相对于过渡金属与硅的合计，上述过渡金属是10原子%以上。

19.如权利要求11所述的光掩模的制造方法，其特征在于，

上述第2膜是含有过渡金属的硅氧化物、硅氮化物或硅氮氧化物。

20.如权利要求11所述的光掩模的制造方法，其特征在于，

在上述第2膜之上，形成有膜厚为50nm以上350nm以下的抗蚀剂膜。