[发明专利]功率半导体开关元件的保护装置以及保护方法有效

专利信息
申请号: 201080056700.2 申请日: 2010-11-30
公开(公告)号: CN102656763A 公开(公告)日: 2012-09-05
发明(设计)人: 杉野友启;白滨秀文 申请(专利权)人: 株式会社日立制作所
主分类号: H02H9/04 分类号: H02H9/04
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 张宝荣
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 功率 半导体 开关 元件 保护装置 以及 保护 方法
【权利要求书】:

1.一种功率半导体开关元件的保护装置,其特征在于,具备:

设置在功率半导体开关元件的两端子间的电阻分压电路所构成的端子电压检测单元;

功率损耗推定单元,其根据该端子电压检测单元的输出值来推定功率半导体开关元件的导通中的功率损耗;和

保护单元,其对应于通过该功率损耗推定单元所推定的功率损耗超过了规定值的情况,使上述功率半导体开关元件的功率损耗减小。

2.根据权利要求1所述的功率半导体开关元件的保护装置,其特征在于,

上述功率损耗推定单元具备缓冲电路,该缓冲电路将上述端子电压检测单元的输出作为输入,产生与该输入信号成比例的输出电压。

3.根据权利要求1所述的功率半导体开关元件的保护装置,其特征在于,

上述功率损耗推定单元具备积分单元,该积分单元输入上述端子电压检测单元的输出。

4.根据权利要求1~3中任一项所述的功率半导体开关元件的保护装置,其特征在于,

上述功率损耗推定单元具备平方电路,该平方电路输入上述端子电压检测单元的输出。

5.根据权利要求1或2所述的功率半导体开关元件的保护装置,其特征在于,

上述功率损耗推定单元具备一阶延迟电路,该一阶延迟电路输入上述端子电压检测单元的输出。

6.根据权利要求1~5中任一项所述的功率半导体开关元件的保护装置,其特征在于,

具备:

周围温度测定单元;和

阈值调整单元,其按照上述周围温度测定单元的输出对上述规定值进行调整。

7.根据权利要求1~6中任一项所述的功率半导体开关元件的保护装置,其特征在于,

使上述功率半导体开关元件的功率损耗减少的保护单元,具备使上述功率半导体开关元件的栅极电压降低的单元。

8.根据权利要求1~6中任一项所述的功率半导体开关元件的保护装置,其特征在于,

使上述功率半导体开关元件的功率损耗减少的保护单元,具备使上述功率半导体开关元件的栅极电压逐渐减小的单元。

9.根据权利要求8所述的功率半导体开关元件的保护装置,其特征在于,

具备在使上述功率半导体开关元件的栅极电压逐渐减小之后,对应于通过上述功率损耗推定单元所推定的功率损耗低于规定值的情况,使该栅极电压恢复,以使上述功率半导体开关元件导通的单元。

10.一种功率半导体开关元件的保护方法,其特征在于,

具备:

通过设置在功率半导体开关元件的两端子间的电阻分压电路来检测端子电压的步骤;

根据该端子电压检测步骤中的检测值来推定功率半导体开关元件的导通中的功率损耗的功率损耗推定步骤;和

对应于通过该功率损耗推定步骤所推定的功率损耗超过了规定值的情况,按照逐渐减小上述功率半导体开关元件的栅极电压的方式进行限制的步骤。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社日立制作所,未经株式会社日立制作所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201080056700.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top