[发明专利]集成在电子衬底中的通孔结构

权利要求书

1.一种在衬底中的通孔结构的系统，所述系统包括第一通孔结构，所述第一通孔结构包含：

外部导电层，其安置于所述衬底中；

内部绝缘层，其安置于所述衬底中，所述外部导电层分离所述内部绝缘层与所述衬底；以及

内部导电层，其安置于所述衬底中，所述内部绝缘层分离所述内部导电层与所述外部导电层；

其中，第一互补对的第一信号通过所述内部导电层且所述第一互补对的第二信号通过所述外部导电层。

2.根据权利要求1所述的系统，其进一步包含安置于所述衬底中的外部绝缘层，所述外部绝缘层分离所述外部导电层与所述衬底。

3.根据权利要求1所述的系统，其进一步包含耦合到所述外部导电层的自对准硅化物膜。

4.根据权利要求3所述的系统，其中所述自对准硅化物膜包含适于耦合到金属层的环状结构。

5.根据权利要求1所述的系统，其中所述第一信号与第二信号包含实质上相反的极性。

6.根据权利要求1所述的系统，其进一步包含相邻于所述第一通孔结构而安置的第二通孔结构，所述第二通孔结构包含：

内部导电层和外部导电层，其两者安置于所述衬底中，所述外部导电层围绕所述内部导电层；以及

内部绝缘层，其安置于所述外部导电层与所述内部导电层之间；

其中，第二互补对的第一信号通过所述内部导电层且所述第二互补对的第二信号通过所述外部导电层。

7.根据权利要求6所述的系统，其中所述第一互补对的所述第二信号与所述第二互补对的所述第二信号包含实质上相反的极性。

8.根据权利要求1所述的系统，其中所述外部导电层包含钛、氮化钛、钽、氮化钽或其一组合。

9.一种在电子衬底中形成通孔结构的方法，其包含：

在所述衬底中形成开口；

在所述开口中沉积外部导电层；

在所述开口中沉积内部绝缘层，所述外部导电层分离所述内部绝缘层与所述衬底；

在所述开口中沉积内部导电层，所述内部绝缘层分离所述外部导电层与所述内部导电层；以及

使所述外部导电层接触自对准硅化物材料。

10.根据权利要求9所述的方法，其进一步包含在所述开口中沉积外部绝缘层，所述外部绝缘层分离所述外部导电层与所述衬底。

11.根据权利要求9所述的方法，其进一步包含将所述自对准硅化物材料耦合到接地。

12.根据权利要求9所述的方法，其进一步包含将所述自对准硅化物材料形成为环状结构。

13.一种减小电子装置中的电场或磁场的方法，其包含：

在衬底中形成第一导电层；

用绝缘层来围绕所述第一导电层；

用第二导电层来围绕所述绝缘层；以及

使互补对的第一信号通过所述第一导电层且使所述互补对的第二信号通过所述第二导电层；

其中，所述第二导电层适于减小由通过所述第一导电层的所述第一信号产生的电场或磁场。

14.根据权利要求16所述的方法，其进一步包含将所述第二导电层耦合到第一电位。

15.根据权利要求16所述的方法，其进一步包含将所述第二导电层耦合到自对准硅化物材料。

16.根据权利要求16所述的方法，其进一步包含形成围绕所述第二导电层的另一绝缘层。

17.一种用于减小电子装置中的电场或磁场的通孔结构，所述通孔结构包含：

第一导电装置，用于在衬底中传导互补对的第一信号；

第二导电装置，用于在所述衬底中传导所述互补对的第二信号，所述第一导电装置围绕所述第二导电装置；以及

绝缘装置，用于使所述第一导电装置与所述第二导电装置绝缘；

其中，所述第一信号与第二信号包含实质上相反的极性。