[发明专利]电极和蓄电装置有效
申请号: | 201080056752.X | 申请日: | 2010-12-24 |
公开(公告)号: | CN102687315A | 公开(公告)日: | 2012-09-19 |
发明(设计)人: | 塚越贵史;大塚友;北条伸彦;山本隆一;福元博基 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01M4/137 | 分类号: | H01M4/137;H01G9/058;H01M4/1399;H01M4/36;H01M4/60;H01M4/62;H01M10/052;H01M10/0566 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 段承恩;田欣 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电极 装置 | ||
1.一种电极,具备导电性支持体和设置在所述导电性支持体上的活性物质层,所述活性物质层含有电极活性物质和导电助剂,
所述电极活性物质含有第1聚合物化合物和第2聚合物化合物中的至少一者,所述第1聚合物化合物在主链的重复单元中具有四硫属元素富瓦烯骨架,所述第2聚合物化合物是侧链具有所述四硫属元素富瓦烯骨架的第1单元与侧链不具有所述四硫属元素富瓦烯骨架的第2单元的共聚物,
在所述活性物质层中,所述电极活性物质不构成粒子,而是覆盖在所述导电助剂的表面的至少一部分上。
2.如权利要求1所述的电极,所述硫属元素富瓦烯骨架以下述通式(A)表示,
通式(A)中,4个X独立为氧原子、硫原子、硒原子或碲原子,选自R1~R4中的1个或2个表示与所述第1聚合物化合物或所述第2聚合物化合物的主链或相邻的重复单元结合的键,另外3个或2个分别独立地是选自链状饱和烃基、链状不饱和烃基、环状饱和烃基、环状不饱和烃基、苯基、氢原子、羟基、氰基、氨基、硝基、亚硝基或烷硫基中的至少1种,链状饱和烃基、链状不饱和烃基、环状饱和烃基和环状不饱和烃基分别含有选自碳原子、氧原子、氮原子、硫原子、硅原子、磷原子和硼原子中的至少1种,
3.如权利要求1所述的电极,在所述活性物质层中,所述活性物质层含有的所述电极活性物质的重量比率为30重量%以上。
4.如权利要求1所述的电极,所述导电助剂为碳黑。
5.如权利要求4所述的电极,所述导电助剂的比表面积为800m2/g以上。
6.如权利要求3所述的电极,所述导电性支持体具有表面层,所述表面层具有与所述活性物质层接触的表面,所述表面层的表面具有凹凸。
7.如权利要求6所述的电极,所述表面层是电解蚀刻铝层。
8.如权利要求1~7的任一项所述的电极,所述第1聚合物化合物和所述第2聚合物化合物的聚合度分别为4以上。
9.如权利要求1~8的任一项所述的电极,
所述第1聚合物化合物以下述通式(B)表示,通式(B)中,X是氧原子、硫原子、硒原子或碲原子,R5和R6分别独立地是选自链状饱和烃基、链状不饱和烃基、环状饱和烃基、环状不饱和烃基、苯基、氢原子、羟基、氰基、氨基、硝基、亚硝基或烷硫基中的至少1种,
所述链状饱和烃基、链状不饱和烃基、环状饱和烃基和环状不饱和烃基分别含有选自碳原子、氧原子、氮原子、硫原子和硅原子中的至少1种,
R9是链状不饱和烃基或环状不饱和烃基,其含有选自碳原子、氧原子、氮原子、硫原子和硅原子中的至少1种,
或者,所述第1聚合物化合物是含有下述通式(C-1)和(C-2)所示的重复单元的共聚物,
通式(C-1)和(C-2)中,X是氧原子、硫原子、硒原子或碲原子,R5~R8分别独立地是选自链状饱和烃基、链状不饱和烃基、环状饱和烃基、环状不饱和烃基、苯基、氢原子、羟基、氰基、氨基、硝基、亚硝基或烷硫基中的至少1种,所述链状饱和烃基、链状不饱和烃基、环状饱和烃基和环状不饱和烃基分别含有选自碳原子、氧原子、氮原子、硫原子和硅原子中的至少1种,R5和R6的组合与R7和R8的组合不同,
或者,所述第1聚合物化合物以下述通式(D)表示,
通式(D)中,X是氧原子、硫原子、硒原子或碲原子,R5~R8分别独立地是选自链状饱和烃基、链状不饱和烃基、环状饱和烃基、环状不饱和烃基、苯基、氢原子、羟基、氰基、氨基、硝基、亚硝基或烷硫基中的至少1种,所述链状饱和烃基、链状不饱和烃基、环状饱和烃基和环状不饱和烃基分别含有选自碳原子、氧原子、氮原子、硫原子、硅原子中的至少1种,
R11、R12分别独立地是含有乙炔骨架和噻吩骨架中的至少任一者的链状不饱和烃基或环状不饱和烃基,其含有选自碳原子、氧原子、氮原子、硫原子和硅原子中的至少1种,
10.如权利要求9所述的电极,所述R9含有乙炔骨架和噻吩骨架中的至少任一者。
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