[发明专利]至少一阶和二阶温度补偿谐振器

权利要求书

1.一种温度补偿谐振器（1），该谐振器（1）包括使用时变形的本体，所述本体的芯部（3）包括第一材料，其特征在于，所述本体具有分别由第二材料和第三材料制成的至少第一涂层和第二涂层（4，5），各材料的杨氏模量随温度的变化是不同的，所述至少第一涂层和第二涂层的各自厚度调整成允许所述谐振器具有随温度基本上为零的一阶和二阶（α，β）频率变化。

2.根据前述权利要求所述的谐振器（1），其特征在于，所述本体包括由第四材料制成的第三涂层，该第四材料的杨氏模量随温度的变化与所述芯部（3）和所述其它涂层（4，5）的材料的不同，所述三个涂层的各自厚度调整成允许所述谐振器具有随温度基本上为零的一阶、二阶和三阶（α，β，γ）频率变化。

3.根据权利要求1或2所述的谐振器（1），其特征在于，所述本体的所述芯部（3）具有随温度的负一阶和负二阶杨氏模量变化。

4.根据前述权利要求所述的谐振器（1），其特征在于，所述本体的所述芯部（3）包括单晶硅。

5.根据前述权利要求中的任一项所述的谐振器（1），其特征在于，所述本体具有基本上四边形形状的截面，所述本体具有成对的相同面。

6.根据权利要求1至4中的任一项所述的谐振器（1），其特征在于，所述本体包括基本上四边形形状的截面，所述本体的面全部涂覆有涂层。

7.根据前述权利要求中的任一项所述的谐振器（1），其特征在于，第一涂层（4）具有随温度的正一阶和负二阶杨氏模量变化。

8.根据前述权利要求所述的谐振器（1），其特征在于，所述第一涂层（4）包括二氧化硅。

9.根据权利要求7或8所述的谐振器（1），其特征在于，所述第二涂层（5）具有随温度的正二阶杨氏模量变化。

10.根据前述权利要求所述的谐振器（1），其特征在于，所述第二涂层（5）具有随温度的正一阶杨氏模量变化。

11.根据前述权利要求所述的谐振器（1），其特征在于，所述第二涂层（5）包括二氧化锗。

12.根据权利要求9所述的谐振器（1），其特征在于，所述第二涂层（5）具有随温度的负一阶杨氏模量变化。

13.根据权利要求9至12中的任一项所述的谐振器（1），其特征在于，所述第一涂层（4）与所述第二涂层（5）的顺序颠倒。

14.根据前述权利要求中的任一项所述的谐振器（1），其特征在于，所述涂层优先沉积在与所述本体的中性面（F）平行的表面上，以便以尽可能大的强度改善所述谐振器的频率。

15.根据前述权利要求中的任一项所述的谐振器（1），其特征在于，所述本体是围绕其自身卷绕的杆以形成游丝，并联接到惯性飞轮上。

16.根据权利要求1至14中的任一项所述的谐振器（1），其特征在于，所述本体包括至少两个对称安装的杆以形成音叉。

17.根据权利要求1至14中的任一项所述的谐振器（1），其特征在于，所述本体是MEMS谐振器。

18.一种钟表，其特征在于，它包括至少一个根据前述权利要求中的任一项所述的谐振器。