[发明专利]光电转换装置和其制造方法

权利要求书

1.一种光电转换装置，其特征在于：

包括光电转换单元，该光电转换单元层叠有包含p型掺杂剂的p型层、作为成为发电层的微晶硅层的i型层和包含n型掺杂剂的n型层，

所述p型层具有第一p型层和第二p型层的层叠结构，所述第一p型层是微晶硅层，所述第二p型层配置在所述微晶硅p型层与所述i型层之间，并且包括非晶硅p型层和非晶碳化硅p型层中的至少一个。

2.如权利要求1所述的光电转换装置，其特征在于：

所述第二p型层在所述i型层一侧具备氧化层。

3.如权利要求1或2所述的光电转换装置，其特征在于：

在所述第二p型层与所述i型层之间具备缓冲层，所述缓冲层包括在比所述i型层结晶性高的条件下成膜的微晶硅层。

4.如权利要求1或2所述的光电转换装置，其特征在于：

在所述第二p型层与所述i型层之间具备缓冲层，所述缓冲层包括非晶硅层和在比所述i型层结晶性高的条件下成膜的微晶硅层的层叠结构。

5.如权利要求1～4中任意一项所述的光电转换装置，其特征在于：

所述第二p型层的膜厚是1nm以上4.5nm以下。

6.如权利要求3所述的光电转换装置，其特征在于：

所述缓冲层的膜厚是8nm以上100nm以下。

7.如权利要求1所述的光电转换装置，其特征在于：

在所述i型层的光入射侧层叠有成为发电层的非晶硅层。

8.一种光电转换装置的制造方法，其特征在于：

所述光电转换装置包括光电转换单元，所述光电转换单元层叠有包含p型掺杂剂的p型层、作为成为发电层的微晶硅层的i型层和包含n型掺杂剂的n型层，

所述光电转换装置的制造方法包括：

作为所述p型层，形成作为微晶硅层的第一p型层，在所述微晶硅p型层与所述i型层之间形成包括非晶硅p型层和非晶碳化硅p型层中的至少一个的第二p型层的工序；和

将所述第二p型层的所述i型层一侧氧化的工序。

9.如权利要求8所述的光电转换装置的制造方法，其特征在于：

将所述第二p型层的所述i型层一侧氧化的工序，是在形成所述p型层之后将所述p型层暴露在大气的工序。

10.如权利要求8或9所述的光电转换装置的制造方法，其特征在于：

包括在所述第二p型层与所述i型层之间形成缓冲层的工序，所述缓冲层包括在比所述i型层结晶性高的条件下成膜的微晶硅层。

11.如权利要求8或9所述的光电转换装置的制造方法，其特征在于：

包括在所述第二p型层与所述i型层之间形成缓冲层的工序，所述缓冲层包括非晶硅层和在比所述i型层结晶性高的条件下成膜的微晶硅层的层叠结构。

12.如权利要求8所述的光电转换装置的制造方法，其特征在于：

包括在所述i型层的光入射侧层叠有第二i型层的光电转换单元，所述第二i型层是成为发电层的非晶硅层，

还具备在形成所述第一p型层和所述第二p型层的工序之前形成所述第二i型层的工序，

在形成所述第二i型层的工序与形成所述第一p型层和所述第二p型层的工序之间，不包括将已形成的层暴露在大气的工序。