[发明专利]核聚变靶材、核聚变装置以及核聚变方法

权利要求书

1.一种核聚变靶材，其特征在于：

是用于使核聚变反应发生的核聚变靶材，

具备：

第1靶层，含有氘或者氚且具有第1膜厚；

第2靶层，层叠于所述第1靶层上，含有氘或者氚且具有比所述第1膜厚薄的第2膜厚。

2.如权利要求1所述的核聚变靶材，其特征在于：

所述第1靶层为含有氢的固体材料中的氢被氘或者氚置换的层。

3.如权利要求1或者2所述的核聚变靶材，其特征在于：

所述第2靶层为吸留了氘或者氚的金属薄膜。

4.如权利要求1或者2所述的核聚变靶材，其特征在于：

所述第2靶层为含有氢的固体材料中的氢被氘或者氚置换的层。

5.一种核聚变装置，其特征在于：

具备：

权利要求1~4中的任意一项所述的核聚变靶材；

容纳所述核聚变靶材的真空容器；以及

朝着所述核聚变靶材的第2靶层照射包含连续的2个第1及第2脉冲光的激光的激光照射部，

所述第1脉冲光的强度小于第2脉冲光的强度，并且，被设定为能够从所述第1靶层剥离所述第2靶层的值。

6.一种核聚变方法，其特征在于：

是用于使核聚变反应发生的核聚变方法，

具备：

在真空中配置核聚变靶材的步骤，该核聚变靶材具备第1靶层和第2靶层，所述第1靶层含有氘或者氚且具有第1膜厚，所述第2靶层层叠于所述第1靶层上，含有氘或者氚且具有比所述第1膜厚薄的第2膜厚；以及

朝着所述核聚变靶材的第2靶层照射包含连续的2个第1及第2脉冲光的激光的步骤，

使所述第1脉冲光的强度小于第2脉冲光的强度，并且，将所述第1脉冲光的强度设定为能够从所述第1靶层剥离所述第2靶层的值。