[发明专利]光伏窗口层

权利要求书

1.一种光伏装置，所述光伏装置包括：

基底；

透明导电氧化物层，与基底相邻；

不连续的半导体窗口层，与透明导电氧化物层相邻；

半导体吸收层，与半导体窗口层相邻；以及

接合点，形成在半导体吸收层和透明导电氧化物层之间。

2.如权利要求1所述的光伏装置，其中，半导体窗口层提供了对相邻的透明导电氧化物层的20%至80%的覆盖。

3.如权利要求2所述的光伏装置，其中，半导体窗口层提供了对相邻的透明导电氧化物层的30%至70%的覆盖。

4.如权利要求1所述的光伏装置，其中，与被构造为与透明导电氧化物层不具有接合点的相同的吸收层相比，所述半导体吸收层多吸收5%至45%的波长小于520nm的光子。

5.如权利要求4所述的光伏装置，其中，与被构造为与透明导电氧化物层不具有接合点的相同的吸收层相比，所述半导体吸收层多吸收10%至25%的波长小于520nm的光子。

6.如权利要求1所述的光伏装置，其中，与被构造为与透明导电氧化物层不具有接合点的相同的吸收层相比，所述半导体吸收层多吸收至少10%的蓝光。

7.如权利要求1所述的光伏装置，其中，半导体窗口层的等效均匀厚度小于1200埃。

8.如权利要求7所述的光伏装置，其中，半导体窗口层的等效均匀厚度在400埃至1200埃的范围内。

9.如权利要求8所述的光伏装置，其中，半导体窗口层的等效均匀厚度在200埃至2500埃的范围内。

10.如权利要求1所述的光伏装置，其中，基底包括玻璃。

11.如权利要求1所述的光伏装置，其中，半导体窗口层包括硫化镉。

12.如权利要求1所述的光伏装置，其中，半导体窗口层包括硫化锌。

13.如权利要求1所述的光伏装置，其中，半导体窗口层包括硫化镉与硫化锌的合金。

14.如权利要求1所述的光伏装置，其中，半导体吸收层包括碲化镉。

15.如权利要求1所述的光伏装置，其中，半导体吸收层包括碲化镉锌。

16.如权利要求1所述的光伏装置，所述光伏装置还包括位于基底和透明导电氧化物层之间的阻挡层。

17.如权利要求16所述的光伏装置，其中，阻挡层包括氧化硅。

18.如权利要求1所述的光伏装置，所述光伏装置还包括位于透明导电氧化物层和半导体窗口层之间的缓冲层。

19.如权利要求18所述的光伏装置，其中，缓冲层包括氧化锡。

20.如权利要求18所述的光伏装置，其中，缓冲层包括氧化锌。

21.如权利要求18所述的光伏装置，其中，缓冲层包括氧化锌锡。

22.如权利要求18所述的光伏装置，其中，缓冲层包括氧化镉锌。

23.如权利要求1所述的光伏装置，其中，透明导电氧化物层包括氧化锌。

24.如权利要求1所述的光伏装置，其中，透明导电氧化物层包括氧化锡。

25.如权利要求1所述的光伏装置，其中，透明导电氧化物层包括锡酸镉。

26.一种光伏装置，所述光伏装置包括：

基底；

透明导电氧化物层，与基底相邻；

不连续的半导体窗口层，与透明导电氧化物层相邻；以及

半导体吸收层，包括掺杂剂，其中，掺杂剂能够与相邻的半导体窗口层反应并使相邻的半导体窗口层流动。

27.如权利要求26所述的光伏装置，其中，掺杂剂包括硅。

28.如权利要求26所述的光伏装置，其中，掺杂剂包括锗。

29.如权利要求26所述的光伏装置，其中，掺杂剂包括氯。

30.如权利要求26所述的光伏装置，其中，掺杂剂包括钠。