[发明专利]半导体激光器

权利要求书

1.半导体激光器（1），所述半导体激光器具有：带有设置用于产生辐射的有源区域（20）的半导体本体（2）；和桥状区域（3），其中所述桥状区域具有沿着发射方向延伸的纵轴线（35），并且其中所述纵轴线相对于所述半导体本体的沿发射方向延伸的中轴线（25）以在横向上偏移的方式设置。

2.根据权利要求1所述的半导体激光器，其中所述半导体本体在横向上具有位错密度梯度。

3.根据权利要求2中所述的半导体激光器，其中所述桥状区域的所述纵轴线设置在所述中轴线的位错密度较小的侧上。

4.根据权利要求1至3之一所述的半导体激光器，其中所述桥状区域的所述纵轴线设置为相对于所述半导体本体的所述中轴线偏移至少10μm、优选至少20μm。

5.根据权利要求1至4之一所述的半导体激光器，其中在所述半导体本体上设置有接触层（4），所述接触层设置用于从朝向所述桥状区域的上侧的侧起外部电接触所述有源区域，其中所述接触层在所述桥状区域的侧上形成接触面（40），所述接触面的伸展在横向上至少局部地为所述半导体本体的伸展的至少0.4倍。

6.根据权利要求1至5之一所述的半导体激光器，其中所述有源区域基于氮化物化合物半导体材料。

7.用于制造多个半导体本体的方法，具有下述步骤：

a）提供具有大量器件区域的支承体（5），所述器件区域通过分离线（7）彼此分开。

b）沉积具有设置用于产生辐射的有源区域（20）的半导体层序列（200）；

c）从所述半导体层序列中构成多个桥状区域（3），使得在两条相邻的分离线之间在垂直于分离线延伸的方向上并排构成第一桥状区域（31）和第二桥状区域（32），其中所述桥状区域中的至少一个距在相邻的所述分离线之间延伸的中线（8）比距最邻近该桥状区域的分离线更近；以及

d）将所述半导体层序列分割为多个半导体本体（2），所述半导体本体分别具有至少一个桥状区域。

8.根据权利要求7所述的方法，

其中两个桥状区域距所述中线比距相应最邻近的分离线更近。

9.根据权利要求7或8所述的方法，

其中所述支承体的位错密度从所述中线起朝着所述分离线增大，并且所述分割沿着所述分离线和沿着所述中线来进行。

10.根据权利要求7至9之一所述的方法，

其中接触层（4）构成在所述半导体层序列上，使得所述桥状区域分别在背离所述中线的侧上配设有设置用于外部电接触的接触面（40）。

11.根据权利要求10所述的方法，

其中所述接触层构成为，使得能够以光学方式将具有第一所述桥状区域的所述半导体本体与具有第二所述桥状区域的所述半导体本体相区分。

12.根据权利要求11所述的方法，

其中借助自动光学识别将具有第一所述桥状区域的所述半导体本体与具有第二所述桥状区域的所述半导体本体相区分。

13.根据权利要求10至12之一所述的方法，

其中所述接触面的伸展为两条所述分离线之间的距离的至少20%。

14.根据权利要求7至13之一所述的方法，

其中所述支承体基于GaN。

15.根据权利要求7至14之一所述的方法，

其中制造根据权利要求1至6之一所述的半导体激光器。