[发明专利]IB/IIIA/VIA族薄膜太阳能吸收器的镀覆化学物

权利要求书

1.在基底上形成IBIIIAVIA族化合物层的方法，该方法包括：在基底上形成前体层，包括：

使用第一电沉积溶液在基底上电沉积第一膜，该第一膜包含铜-铟-镓三元合金；

使用第二电沉积溶液在所述金属膜上电沉积第二膜，该第二膜包含铜-硒合金、铟-硒合金和镓-硒合金其中之一；和

在第二膜上电镀第三膜，该第三膜包含硒；和

使所述前体层与硒反应，由此在基底上形成IBIIIAVIA族化合物层。

2.权利要求1的方法，其中第一膜中铜的摩尔量小于20%。

3.权利要求2的方法，其中第二膜包含铜-硒合金且第二膜中铜的摩尔量为至少60%。

4.权利要求2的方法，其中第一电沉积溶液包括0.005至0.5摩尔/升的铜、0.01至0.7摩尔/升的镓和0.01至0.7摩尔/升的铟。

5.权利要求4的方法，其中第一电沉积溶液具有9-14的pH范围。

6.权利要求3的方法，其中第二电镀溶液包括Cu盐和亚硒酸。

7.权利要求4的方法，其中第二电沉积溶液具有9-1的pH范围。

8.权利要求5的方法，其中第一电沉积溶液包括络合剂，该络合剂选自由包括胺和羧基的有机络合剂构成的组。

9.权利要求8的方法，其中所述络合剂包含柠檬酸、酒石酸、乙二胺、三乙醇胺、甘氨酸和乙二胺四乙酸中的至少一种。

10.权利要求1的方法，其中电沉积第一膜包括，

将第一电沉积溶液输送到基底上；

在阳极和基底之间施加第一电沉积电势从而由所述电沉积溶液在基底上生长所述第一膜的第一层，所述第一层中Cu的摩尔量高于In+Ga的摩尔量；

施加第二电沉积电势从而由所述电沉积溶液在第一层上生长所述第一膜的第二层；所述第二层包含均匀分布的Cu、In和Ga量，其中所述第二电沉积电势大于所述第一电沉积电势；和

施加第三电沉积电势从而由所述电沉积溶液在第二层上生长所述第一膜的第三层；所述第三层中In+Ga的摩尔量高于Cu的摩尔量，其中所述第三电沉积电势大于所述第二电沉积电势。

11.用于在基底表面上形成IBIIIAIVA族太阳能电池吸收器的前体结构，其包含：

在基底表面上形成的第一合金膜，该第一合金膜包含铜、铟和镓，其中该第一合金膜的厚度为至少50纳米；

在第一合金膜上形成的包含铜和硒的第二合金膜；和

在第二合金膜上形成的硒膜。

12.权利要求11的前体结构，其中第一合金膜中铜的摩尔量小于20%。

13.权利要求12的前体结构，其中第二合金膜包含铜-硒合金且第二合金膜中铜的摩尔量为至少60%。