[发明专利]激光模块无效
| 申请号： | 201080057386.X | 申请日： | 2010-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN102656758A | 公开（公告）日： | 2012-09-05 |
| 发明（设计）人： | 玉谷基亮;难波知世;柳泽隆行;大江慎一;山本修平;横山彰 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/022 | 分类号： | H01S5/022 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 金春实 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 激光 模块 | ||
1.一种激光模块，其特征在于，具备：
散热器，对来自所接触的部件的热进行散热；
辅助装配基板，配置于所述散热器之上，由绝缘材料构成；
供电层，配置于所述辅助装配基板之上；以及
半导体激光器阵列，具有并列配置于所述供电层之上的多个发光部，
所述半导体激光器阵列的线膨胀系数大于所述辅助装配基板的线膨胀系数，小于所述供电层以及所述散热器的线膨胀系数，
与所述散热器连接了的状态下的所述辅助装配基板的线膨胀系数成为包括所述半导体激光器阵列的线膨胀系数在内的规定的范围内。
2.一种激光模块，其特征在于，具备：
散热器，对来自所接触的部件的热进行散热；
辅助装配基板，配置于所述散热器之上，由绝缘材料构成；
供电层，配置于所述辅助装配基板之上；以及
半导体激光器阵列，具有并列配置于所述供电层之上的多个发光部，
所述半导体激光器阵列的线膨胀系数大于所述辅助装配基板的线膨胀系数，小于所述供电层以及所述散热器的线膨胀系数，
关于所述散热器与所述辅助装配基板的接合宽度，将所述半导体激光器阵列的宽度作为下限，将如下范围作为上限：能够对向所述半导体激光器阵列起作用的应力与所述连接宽度的关系进行线性近似的范围。
3.一种激光模块，其特征在于，具备：
散热器，对来自所接触的部件的热进行散热；
辅助装配基板，配置于所述散热器之上，由绝缘材料构成；
供电层，配置于所述辅助装配基板之上；以及
半导体激光器阵列，具有并列配置于所述供电层之上的多个发光部，
所述辅助装配基板的材料是AIN或者SiC，
所述散热器的材料是Cu，
所述半导体激光器阵列的材料是GaAs，
所述供电层的材料是Cu，
如果将所述半导体激光器阵列的宽度尺寸设为B，
则所述辅助装配基板的与所述散热器的接合宽度尺寸A是B≦A≦B+4mm。
4.根据权利要求1~3中的任一项所述的激光模块，其特征在于，
所述辅助装配基板的材料是AIN或者SiC，
所述散热器的材料是Cu，
所述半导体激光器阵列的材料是GaAs，
所述供电层的材料是Cu，
所述供电层的厚度是10μm以上且100μm以下。
5.根据权利要求1~3中的任一项所述的激光模块，其特征在于，
所述辅助装配基板的材料是AIN或者SiC，
所述散热器的材料是Cu，
所述半导体激光器阵列的材料是GaAs，
所述供电层的材料是Cu，
所述供电层的厚度是30μm以上100μm以下。
6.根据权利要求1~3中的任一项所述的激光模块，其特征在于，
所述辅助装配基板的材料是AIN或者SiC，
所述散热器的材料是Cu，
所述半导体激光器阵列的材料是GaAs，
所述供电层是通过镀敷形成的Cu，
所述供电层的厚度是10μm以上且50μm以下。
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