[发明专利]具有旋转式遮光器的脱气腔室的UV灯总成有效
申请号: | 201080057454.2 | 申请日: | 2010-12-06 |
公开(公告)号: | CN102656669A | 公开(公告)日: | 2012-09-05 |
发明(设计)人: | 威廉·T·哈特;弗雷德·丹尼斯·埃格雷 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | H01L21/302 | 分类号: | H01L21/302 |
代理公司: | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人: | 李献忠 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 旋转 遮光 脱气 uv 总成 | ||
1.用于脱气腔室的UV灯总成,包括多个平行UV灯和旋转式遮光器,每个旋转式遮光器包括包围UV灯的凹壁和自所述凹壁的纵向边缘向外延伸的两个法兰,所述旋转式遮光器被配置为在打开位置和关闭位置之间旋转,其中处于所述打开位置的所述旋转式遮光器被布置于所述UV灯上方以便不阻挡所述UV灯的UV光线进入所述脱气腔室;且处于所述关闭位置的所述旋转式遮光器被布置于所述UV灯下方以便阻挡所述UV灯的UV光线进入所述脱气腔室,在所述关闭位置,相邻旋转式遮光器的所述法兰重叠以防止UV光线泄漏。
2.如权利要求1所述的UV灯总成,其中所述凹壁的凹面是反射面。
3.如权利要求1所述的UV灯总成,其中所述凹壁是半圆柱形的。
4.如权利要求1所述的UV灯总成,其中每个旋转式遮光器的所述法兰是共面的;具有大约0.07到0.09英寸的宽度;且所述法兰的纵向末端离所述凹壁的纵向末端空出至少大约0.1英寸。
5.如权利要求1所述的UV灯总成,其中每个旋转式遮光器的所述法兰与相邻旋转式遮光器的所述法兰在关闭位置重叠大约0.03到0.05英寸。
6.如权利要求1所述的UV灯总成,进一步包括:
具有用于每个旋转式遮光器的孔的支撑块;
具有用于每个旋转式遮光器的柄的轴;
驱动装置;以及
其中:
所述旋转式遮光器被附着到所述轴;
所述轴的所述柄被可旋转地支撑在所述支撑块的所述孔中;以及
所述轴的所述柄被所述驱动装置驱动使得附着的所述旋转式遮光器在所述打开和关闭位置是可旋转的。
7.如权利要求1所述的UV灯总成,其中每个UV灯包括绑在一起的成对的平行的圆柱形管。
8.如权利要求1所述的UV灯总成,包括具有第一长度的四个UV灯和具有比所述第一长度短至少10%的第二长度的两个UV灯,所述四个较长长度的灯位于所述两个较短长度的灯之间,六个所述灯上的所述旋转式遮光器同时被操作。
9.包括如权利要求1所述的UV灯总成的脱气腔室。
10.如权利要求9所述的脱气腔室,其中所述脱气腔室暴露于所述UV灯总成的UV光线的内表面被制成黑的以减少UV光线的反射。
11.使用如权利要求9所述的脱气腔室处理半导体衬底的方法,包括:
将所述旋转式遮光器旋转到所述关闭位置;
将半导体衬底输送到所述脱气腔室中;
将所述旋转式遮光器旋转到所述打开位置;
将臭氧或氧气供应到所述脱气腔室中,同时将所述腔室中的真空压强维持在10mTorr到10Torr;
通过用UV光线穿过石英窗照射所述脱气腔室中的所述臭氧或氧气产生O自由基;
通过与所述O自由基的反应移除所述半导体衬底上的含卤素的残余物;
将所述旋转式遮光器旋转到所述关闭位置;
从所述脱气腔室移除所述半导体衬底。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造