[发明专利]两端子可变电容微机电系统装置

权利要求书

1.一种可变电容装置，其包括多个并联连接的MEMS装置，所述MEMS装置的特征为使所述MEMS装置中的若干对应MEMS装置在松弛状态与致动状态之间转变的多个不同致动电压，其中所述多个MEMS装置是使用在所述MEMS装置之间的指定装置变化而配置，使得所述可变电容装置的特征为包含多个施加电压范围的电容对电压特征，其中所述可变电容装置的对应电容变化速率大体上小于由所述可变电容装置的最小电容值与最大电容值之间的所述电容对电压特征所表示的平均电容变化速率。

2.根据权利要求1所述的可变电容装置，其中所述MEMS装置包括干涉调制器或MEMS可变电抗器中的一者或一者以上。

3.根据权利要求1所述的可变电容装置，其中所述MEMS装置包括干涉调制器IMOD，且其中所述指定装置变化包括锚柱间隔、锚柱重叠、锚柱高度、空气间隙间隔、可移动电极厚度或可移动电极材料中的一者或一者以上。

4.根据权利要求1所述的可变电容装置，其中所述MEMS装置包括干涉调制器IMOD，每一IMOD包括定位在距离彼此可变距离处且使用多个锚柱而紧固在适当位置的第一层与第二层，且其中所述IMOD之间的所述指定装置变化包括所述锚柱的间隔。

5.根据权利要求1所述的可变电容装置，其中所述MEMS装置包括干涉调制器IMOD，每一IMOD包括定位在距离彼此可变距离处且使用多个锚柱而紧固在适当位置的第一层与第二层，且其中所述IMOD之间的所述指定装置变化包括所述锚柱相对于与每一IMOD相关联的电极的重叠。

6.根据权利要求1所述的可变电容装置，其中所述MEMS装置包括干涉调制器IMOD，每一IMOD包括定位在距离彼此可变距离处且使用多个锚柱而紧固在适当位置的第一层与第二层，且其中所述IMOD之间的所述指定装置变化包括所述锚柱的间隔及所述锚柱相对于与每一IMOD相关联的电极的重叠两者。

7.根据权利要求1到6中任一权利要求所述的可变电容装置，其中所述可变电容装置是配置为可调谐滤波器、可调谐谐振器或可调谐天线中的一者。

8.根据权利要求1到7中任一权利要求所述的可变电容装置，其中所述MEMS装置经配置以用于射频RF操作，且其中所述可变电容装置的第一端子经配置以接收来自RF源的RF信号及来自DC源的DC信号两者，所述可变电容装置进一步包括用于提供所述RF源或所述DC源中的一者或两者的隔离的一个或一个以上隔离组件。

9.一种可变电容装置，其包括多个并联连接的MEMS装置，每一MEMS装置包括第一电极及第二电极，所述可变电容装置的第一端子是通过所述MEMS装置的所述第一电极之间的第一电连接而形成，所述可变电容装置的第二端子是通过所述MEMS装置的所述第二电极之间的第二电连接而形成，其中所述多个MEMS装置是使用所述MEMS装置之间的指定装置变化而配置，使得所述MEMS装置的特征为使所述MEMS装置中的若干对应MEMS装置在最小电容与最大电容之间转变的多个不同调谐电压范围。

10.根据权利要求9所述的可变电容装置，其中所述MEMS装置包括干涉调制器或MEMS可变电抗器中的一者或一者以上。

11.根据权利要求9所述的可变电容装置，其中所述MEMS装置包括干涉调制器IMOD，且其中所述指定装置变化包括锚柱间隔、锚柱重叠、锚柱高度、空气间隙间隔、可移动电极厚度或可移动电极材料中的一者或一者以上。

12.根据权利要求9所述的可变电容装置，其中所述MEMS装置包括干涉调制器IMOD，每一IMOD包括定位在距离彼此可变距离处且使用多个锚柱而紧固在适当位置的第一层与第二层，且其中所述IMOD之间的所述指定装置变化包括所述锚柱的间隔。

13.根据权利要求9所述的可变电容装置，其中所述MEMS装置包括干涉调制器IMOD，每一IMOD包括定位在距离彼此可变距离处且使用多个锚柱而紧固在适当位置的第一层与第二层，且其中所述IMOD之间的所述指定装置变化包括所述锚柱相对于每一IMOD的所述电极中的一者的重叠。