[发明专利]带有位于具有多个区域的气垫上的基板保持件的CVD反应器

权利要求书

1.一种带有处理腔(23)和设在该处理腔中的基板保持件支架(1)的CVD反应器，该基板保持件支架(1)具有至少一个支承面(4)，其中，在所述支承面(4')中通入多个气体输入管道(7,8)，该CVD反应器还具有以其背面指向所述支承面(4')的基板保持件(2)，其中，由所述气体输入管道(7,8)通入支承面(4')与背面之前的空间中的气体形成支撑所述基板保持件(2)的气垫(19)，其特征在于，所述气垫具有多个可分别通过对应配设的气体输入管道(7,8)个别供气的区域(A,C)，所述各区域(A,C)通过防止各区域(A,C)之间气体交换的器件(15)相互隔开，其中，至少一个位于内部的区域(C)配有气体排出管道(13,14)，由所述输入管道(7,8)输入所述位于内部的区域(C)中的气体能够通过所述气体排出管道(13,14)导出。

2.按权利要求1或尤其是以下所述的CVD反应器，其特征在于，所述防止各区域之间气体交换的器件(15)形成环形包围所述基板保持件(2)的旋转中心的扩散阻挡件(15)。

3.按权利要求1或2或尤其是以下所述的CVD反应器，其特征在于，所述扩散阻挡件(15)是突伸出一个表面、尤其是所述基板保持件支架(1)的支承面(4')的，尤其是插入一个槽(16)中的环(15)，该环这样嵌接到布置在所述基板保持件(2)的对置面、尤其是背面的环槽(17)中，使得所述两个区域(A,C)的气垫之间仅保留一个多次转向的缝隙(18)。

4.按前述权利要求之一或尤其是如下所述的CVD反应器，其特征在于，多个位于内部的区域(C)分别配有一个气体排出管道(13,14)。

5.按前述权利要求之一或尤其是如下所述的CVD反应器，其特征在于，所述气体排出管道(13,14)与尤其位于径向外部的、在圆周方向上沿所述区域(A,C)的边缘延伸的集气通道(11,12)相连通。

6.按前述权利要求之一或尤其是如下所述的CVD反应器，其特征在于，所述输入管道(7)与尤其位于径向内部的沿所述区域(A,C)的圆周边缘延伸的供气通道(39,40)连通。

7.按前述权利要求之一或尤其是如下所述的CVD反应器，其特征在于，所述基板保持件(2)位于所述基板保持件支架(1)的承载腔(4)中，其中，所述承载腔(4)的底板(4')形成所述支承面，所述基板保持件(2)的背面平行于所述支承面延伸，在其沿处理腔(23)的盖板(22)的方向向上指向的侧面能够设有基板(3)，其中，所述承载腔的底板(4')具有供气通道(39,40)和与之连通的，尤其是以螺旋线走向的气体分配通道(9,l0)并且其中，所述气体分配通道(9,l0)由与排出管道(13,14)连通的集气通道(11,12)包围。

8.按前述权利要求之一或尤其是如下所述的CVD反应器，其特征在于，具有多个围绕所述基板保持件支架(1)的中心圆形布置的承载腔(4)，所述承载腔(4)分别容纳基板保持件(2)，所述基板保持件(2)分别由具有多个区域(A,C)的气垫(19)支承，其中，设置用于各区域(A,C)的输入管道(7,8)，所述输入管道(7,8)要么个别地与气体供应装置连接要么与一个公共的气体供应装置连接。

9.一种用于支承在动态的气垫(19)上的并且尤其是被旋转驱动的、从下面加热的基板保持件(2)的表面温度的温度控制的方法，其特征在于，所述气垫(19)具有多个尤其是彼此同轴布置的区域(A,C)，具有彼此不同的并且尤其是可通过气体混合物的变化来调节的导热率的气体(35，36，37)或气体混合物输入所述区域(A,C)中。

10.一种用于处理基板的设备，其具有CVD反应器，该CVD反应器具有处理腔(23)和布置在该处理腔中的基板保持件支架(1)，该基板保持件支架(1)在其指向所述处理腔(23)的一侧的支承面(4')上支承基板保持件(2)并且能够借助加热装置(30)从其背面加热，其中，由气体混合系统供气的气体输入管道(7,8)通入所述支承面(4')，所述气体形成支承所述基板保持件(2)的动态气垫，其特征在于，所述气垫(19)具有多个彼此邻接的、由所述气体混合系统分别通过个别气体输入管道(7,8)供气的区域(A,C)，其中，所述气体混合系统具有气流控制元件(32,33,34,35)，通过这些气流控制元件，能够将彼此不同的气体或气体混合物提供给各自的所述气体输入管道(7,8)。

11.按权利要求10或尤其是以下所述的设备，其特征在于，所述气体混合系统具有用于第一气体的第一气源(35)和用于第二气体的第二气源(36)，其中，所述两个具有不同导热率的气体能够借助所述气流控制元件(32,33,34)个别地混合，以便通过调整所述气体组分个别调节在所述各区域(A,C)中的所述气垫的导热率。