[发明专利]具体用于超声应用的传输信道有效

专利信息
申请号: 201080057618.1 申请日: 2010-09-29
公开(公告)号: CN102656802A 公开(公告)日: 2012-09-05
发明(设计)人: S·罗西;G·里科蒂 申请(专利权)人: 意法半导体股份有限公司
主分类号: H03K17/0416 分类号: H03K17/0416;H03K17/16;H03K17/74;B06B1/02
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 王茂华;张宁
地址: 意大利阿格*** 国省代码: 意大利;IT
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 具体 用于 超声 应用 传输 信道
【权利要求书】:

1.一种如下类型的传输信道(1),所述传输信道(1)包括至少一个高电压缓冲块(4),所述至少一个高电压缓冲块(4)包括插入于相应电压参考(HVP0,HVP1,HVM0,HVM1)之间的缓冲晶体管(MB1,MB2,MB3,MB4)和相应缓冲二极管(DB1,DB2,DB3,DB4),所述缓冲晶体管(MB1,MB2,MB3,MB4)还连接到钳位块(5),所述钳位块(5)继而包括经过二极管(DC1,DC2)与所述传输信道(1)的至少一个输出端子(HVout)连接的钳位晶体管(MC1,MC2),所述二极管(DC1,DC2)被连接成防止所述钳位晶体管(MC1,MC2)的体二极管导通,其特征在于它包括至少一个重置电路(20),所述重置电路(20)包括二极管(DME1,DME2,DME3,DME4)并且插入于所述高电压缓冲块(4)和所述钳位块(5)的电路节点(XME1,XME2,XME3,XME4,XC1,XC2)之间,所述电路节点(XME1,XME2,XME3,XME4,XC1,XC2)与所述高电压缓冲块(4)和所述钳位块(5)中包括的所述晶体管(MB1,MB2,MB3,MB4;MC1,MC2)的传导端子通信。

2.根据权利要求1所述的传输信道(1),其中所述钳位块(5)包括与第一钳位二极管(DC1)串联插入于钳位电压参考(PGND)与钳位中心节点(XCc)之间并且与第一钳位电路节点(XC1)通信地互连的至少一个第一钳位晶体管(MC1)以及与第二钳位二极管(DC2)串联插入于所述钳位电压参考(PGND)与所述钳位中心节点(XCc)之间并且与第二钳位电路节点(XC2)通信地互连的第二钳位晶体管(MC2),并且其中所述高电压缓冲块(4)包括至少一个第一支路,所述第一支路继而包括相互串联插入于第一更高电压参考(HVP0)与缓冲中心节点(XBc)之间并且与第一存储节点(XME1)通信地互连的第一缓冲晶体管(MB1)和第一缓冲二极管(DB1)以及相互串联插入于所述缓冲中心节点(XBc)与第一更低电压参考(HVM0)之间并且与第二存储节点(XME2)通信地互连的第二缓冲二极管(DB2)和第二缓冲晶体管(MB2),其特征在于所述重置电路(20)包括:

-第一存储二极管(DME1),插入于所述第一存储节点(XME1)与所述第一钳位电路节点(XC1)之间;以及

-第二存储二极管(DME2),插入于所述第二存储节点(XME2)与所述第二钳位电路节点(XC2)之间。

3.根据权利要求2所述的传输信道(1),其特征在于所述第一存储二极管(DME1)的阴极端子连接到所述第一存储节点(XME1)而阳极端子连接到所述第一钳位电路节点(XC1),并且所述第二存储二极管(DME2)的阳极端子连接到所述第二存储节点(XME2)而阴极端子连接到所述第二钳位电路节点(XC2)。

4.根据权利要求3所述的传输信道(1),其特征在于所述第一存储节点(XME1)连接到所述第一缓冲二极管(DB1)的阳极端子并且所述第一钳位电路节点(XC1)连接到所述第一钳位二极管(DC1)的阳极端子,并且所述第二存储二极管(XME2)连接到所述第二缓冲二极管(DB2)的阴极端子并且所述第二钳位电路节点(XC2)连接到所述第二钳位二极管(DC2)的阴极端子。

5.根据权利要求3所述的传输信道(1),其特征在于所述第一存储节点(XME1)与所述第一缓冲晶体管(MB1)的漏极端子通信,并且所述第二存储节点(XME2)与所述第二缓冲晶体管(MB2)的漏极端子通信。

6.根据权利要求2所述的传输信道(1),其中所述高电压缓冲块(4)还包括与所述第一支路并联的第二支路,所述第二支路继而包括相互串联插入于第二更高电压参考(HVP1)与所述缓冲中心节点(XBc)之间并且与第三存储节点(XME3)通信地互连的第三缓冲晶体管(MB3)和第三缓冲二极管(DB3)以及相互串联插入于所述缓冲中心节点(XBc)与第二更低电压参考(HVM1)之间并且与第四存储节点(XME4)通信地互连的第四缓冲二极管(DB4)和第四缓冲晶体管(MB4),其特征在于所述重置电路(20)还包括:

-第三存储二极管(DME3),插入于所述第三存储节点(XME3)与所述第一钳位电路节点(XC1)之间;以及

-第四存储二极管(DME4),插入于所述第四存储节点(XME4)与所述第二钳位电路节点(XC2)之间。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于意法半导体股份有限公司,未经意法半导体股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201080057618.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top