[发明专利]具体用于超声应用的传输信道有效
申请号: | 201080057618.1 | 申请日: | 2010-09-29 |
公开(公告)号: | CN102656802A | 公开(公告)日: | 2012-09-05 |
发明(设计)人: | S·罗西;G·里科蒂 | 申请(专利权)人: | 意法半导体股份有限公司 |
主分类号: | H03K17/0416 | 分类号: | H03K17/0416;H03K17/16;H03K17/74;B06B1/02 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华;张宁 |
地址: | 意大利阿格*** | 国省代码: | 意大利;IT |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 具体 用于 超声 应用 传输 信道 | ||
1.一种如下类型的传输信道(1),所述传输信道(1)包括至少一个高电压缓冲块(4),所述至少一个高电压缓冲块(4)包括插入于相应电压参考(HVP0,HVP1,HVM0,HVM1)之间的缓冲晶体管(MB1,MB2,MB3,MB4)和相应缓冲二极管(DB1,DB2,DB3,DB4),所述缓冲晶体管(MB1,MB2,MB3,MB4)还连接到钳位块(5),所述钳位块(5)继而包括经过二极管(DC1,DC2)与所述传输信道(1)的至少一个输出端子(HVout)连接的钳位晶体管(MC1,MC2),所述二极管(DC1,DC2)被连接成防止所述钳位晶体管(MC1,MC2)的体二极管导通,其特征在于它包括至少一个重置电路(20),所述重置电路(20)包括二极管(DME1,DME2,DME3,DME4)并且插入于所述高电压缓冲块(4)和所述钳位块(5)的电路节点(XME1,XME2,XME3,XME4,XC1,XC2)之间,所述电路节点(XME1,XME2,XME3,XME4,XC1,XC2)与所述高电压缓冲块(4)和所述钳位块(5)中包括的所述晶体管(MB1,MB2,MB3,MB4;MC1,MC2)的传导端子通信。
2.根据权利要求1所述的传输信道(1),其中所述钳位块(5)包括与第一钳位二极管(DC1)串联插入于钳位电压参考(PGND)与钳位中心节点(XCc)之间并且与第一钳位电路节点(XC1)通信地互连的至少一个第一钳位晶体管(MC1)以及与第二钳位二极管(DC2)串联插入于所述钳位电压参考(PGND)与所述钳位中心节点(XCc)之间并且与第二钳位电路节点(XC2)通信地互连的第二钳位晶体管(MC2),并且其中所述高电压缓冲块(4)包括至少一个第一支路,所述第一支路继而包括相互串联插入于第一更高电压参考(HVP0)与缓冲中心节点(XBc)之间并且与第一存储节点(XME1)通信地互连的第一缓冲晶体管(MB1)和第一缓冲二极管(DB1)以及相互串联插入于所述缓冲中心节点(XBc)与第一更低电压参考(HVM0)之间并且与第二存储节点(XME2)通信地互连的第二缓冲二极管(DB2)和第二缓冲晶体管(MB2),其特征在于所述重置电路(20)包括:
-第一存储二极管(DME1),插入于所述第一存储节点(XME1)与所述第一钳位电路节点(XC1)之间;以及
-第二存储二极管(DME2),插入于所述第二存储节点(XME2)与所述第二钳位电路节点(XC2)之间。
3.根据权利要求2所述的传输信道(1),其特征在于所述第一存储二极管(DME1)的阴极端子连接到所述第一存储节点(XME1)而阳极端子连接到所述第一钳位电路节点(XC1),并且所述第二存储二极管(DME2)的阳极端子连接到所述第二存储节点(XME2)而阴极端子连接到所述第二钳位电路节点(XC2)。
4.根据权利要求3所述的传输信道(1),其特征在于所述第一存储节点(XME1)连接到所述第一缓冲二极管(DB1)的阳极端子并且所述第一钳位电路节点(XC1)连接到所述第一钳位二极管(DC1)的阳极端子,并且所述第二存储二极管(XME2)连接到所述第二缓冲二极管(DB2)的阴极端子并且所述第二钳位电路节点(XC2)连接到所述第二钳位二极管(DC2)的阴极端子。
5.根据权利要求3所述的传输信道(1),其特征在于所述第一存储节点(XME1)与所述第一缓冲晶体管(MB1)的漏极端子通信,并且所述第二存储节点(XME2)与所述第二缓冲晶体管(MB2)的漏极端子通信。
6.根据权利要求2所述的传输信道(1),其中所述高电压缓冲块(4)还包括与所述第一支路并联的第二支路,所述第二支路继而包括相互串联插入于第二更高电压参考(HVP1)与所述缓冲中心节点(XBc)之间并且与第三存储节点(XME3)通信地互连的第三缓冲晶体管(MB3)和第三缓冲二极管(DB3)以及相互串联插入于所述缓冲中心节点(XBc)与第二更低电压参考(HVM1)之间并且与第四存储节点(XME4)通信地互连的第四缓冲二极管(DB4)和第四缓冲晶体管(MB4),其特征在于所述重置电路(20)还包括:
-第三存储二极管(DME3),插入于所述第三存储节点(XME3)与所述第一钳位电路节点(XC1)之间;以及
-第四存储二极管(DME4),插入于所述第四存储节点(XME4)与所述第二钳位电路节点(XC2)之间。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于意法半导体股份有限公司,未经意法半导体股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201080057618.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:在无线传输中的导频子载波
- 下一篇:一种碟形光纤