[发明专利]用于纳米线器件的隔离

权利要求书

1.一种纳米线隔离结构，包括：

置于邻接于至少一个纳米线的介电材料，其中，所述介电材料包括从所述介电材料的第一表面延伸进入所述介电材料的至少一个凹陷沟道；

置于所述介电材料第一表面之上和所述凹陷沟道之内的保护层；以及

置于所述保护层上以基本上填充所述凹陷沟道的填充介电材料。

2.如权利要求1所述的纳米线隔离结构，其中，所述填充介电材料第一表面与所述填充介电材料基本上相平。

3.如权利要求1所述的纳米线隔离结构，其中，所述纳米线包括锗纳米线。

4.如权利要求3所述的纳米线隔离结构，其中，所述锗纳米线包括具有在50和100%之间的锗含量的锗纳米线。

5.如权利要求1所述的纳米线隔离结构，其中，所述介电材料包括硅氧化物。

6.如权利要求1所述的纳米线隔离结构，其中，所述保护层包括高K介电材料。

7.如权利要求1所述的纳米线隔离结构，其中，所述保护层包括硅氮化物。

8.如权利要求1所述的纳米线隔离结构，其中，所述填充介电材料包括硅氧化物。

9.一种通过一种方法形成的纳米线隔离结构，所述方法包括：

形成至少一个纳米线；

形成邻接于所述纳米线的介电材料，其中，形成所述介电材料包括在所述介电材料中形成至少一个凹陷沟道；

在所述介电材料和所述纳米线之上形成保护层；

在所述保护层之上沉积填充介电材料；以及

移除所述填充介电材料的一部分以暴露所述保护层的一部分以及以将所述填充介电材料的一部分留在所述凹陷沟道内。

10.如权利要求9所述的纳米线隔离结构，其中，移除所述填充介电材料的一部分以暴露所述保护层的一部分以及将所述填充介电材料的一部分留在所述凹陷沟道内包括移除所述填充介电材料的一部分以暴露所述保护层的一部分以及将所述填充介电材料的一部分留在所述凹陷沟道内，所留的部分与所述保护层基本上相平。

11.如权利要求9所述的纳米线隔离结构，其中，形成至少一个纳米线包括形成至少一个锗纳米线。

12.如权利要求11所述的纳米线隔离结构，其中，形成至少一个锗纳米线包括形成具有大约50和100％之间的锗含量的至少一个锗纳米线。

13.如权利要求9所述的纳米线隔离结构，其中，在所述介电材料和所述纳米线之上形成所述保护层包括在所述介电材料和所述纳米线之上形成高K介电保护层。

14.如权利要求9所述的纳米线隔离结构，其中，在所述介电材料和所述纳米线之上形成所述保护层包括在所述介电材料和所述纳米线之上形成硅氮化物保护层。

15.如权利要求9所述的纳米线隔离结构，其中，形成至少一个纳米线包括：

在衬底上图案化掩膜；

蚀刻所述衬底以形成至少一个凹进处和至少一个鳍状物，每个鳍状物具有顶面和两个相对的侧面；

移除图案化的掩膜；

在所述凹进处和鳍状物之上沉积所述介电材料；

使得所述介电材料凹进以暴露每个鳍状物的侧面的一部分；

在每个鳍状物的顶面和暴露的侧面上形成锗合金包层；以及

对所述锗合金包层进行氧化和退火以将所述锗合金包层转变成锗纳米线。

16.如权利要求15所述的纳米线隔离结构，其中，在衬底上图案化掩膜包括在含硅衬底上图案化掩膜。

17.如权利要求16所述的纳米线隔离结构，其中，形成所述锗合金包层包括形成硅锗合金包层。