[发明专利]半导体装置

权利要求书

1. 一种半导体装置，包括：

第一晶体管，包括：

沟道形成区域；

第一杂质区域和第二杂质区域，将所述沟道形成区域插入于所述第一杂质区域和所述第二杂质区域之间；

第一绝缘层，在所述沟道形成区域之上；

第一栅电极，在所述沟道形成区域之上，将所述第一绝缘层插入于其间；

第一电极，电连接到所述第一杂质区域；以及

第二电极，电连接到所述第二杂质区域；

第二晶体管，包括：

氧化物半导体层；

第三电极和第四电极，所述第三电极和所述第四电极中的每个电连接到所述氧化物半导体层；

第二绝缘层，在所述氧化物半导体层、所述第三电极以及所述第四电极之上；以及

第二栅电极，与所述氧化物半导体层重叠，将所述第二绝缘层插入于其间；

电容器元件，包括：

所述第三电极；

所述第二绝缘层；以及

第五电极，与所述第三电极重叠，将所述第二绝缘层插入于其间，

其中所述第一栅电极和所述第三电极彼此电连接。

2. 一种半导体装置，包括：

第一栅电极，在半导体之上，将第一绝缘层插入于其间；

第二绝缘层，在所述第一栅电极之上；

第一电极和第二电极，在所述第二绝缘层之上；

氧化物半导体层，在所述第二绝缘层之上并且电连接到所述第一电极和所述第二电极；

第三绝缘层，在所述第一电极、所述第二电极以及所述氧化物半导体层之上；

第三电极，在所述第一电极之上，将所述第三绝缘层插入于其间；以及

第二栅电极，在所述氧化物半导体层之上，将所述第三绝缘层插入于其间，

其中所述第一栅电极和所述第一电极彼此电连接。

3. 根据权利要求2所述的半导体装置，其中所述半导体是半导体衬底。

4. 根据权利要求2所述的半导体装置，还包括侧壁绝缘体，与所述第一栅电极的一侧接触。

5. 根据权利要求2所述的半导体装置，

其中所述半导体包括第一杂质区域、第二杂质区域以及所述第一杂质区域和所述第二杂质区域之间的沟道形成区域，以及

其中所述沟道形成区域与所述第一栅电极重叠。

6. 根据权利要求2所述的半导体装置，其中所述氧化物半导体层包括铟和镓。

7. 根据权利要求2所述的半导体装置，其中所述第三电极与所述氧化物半导体层重叠。

8. 根据权利要求2所述的半导体装置，还包括第四绝缘层，在所述氧化物半导体层和所述第一电极之间，

其中所述第四绝缘层包括在与所述第三电极重叠的区域处的开口，以及

其中所述氧化物半导体层提供于所述开口中。

9. 根据权利要求2所述的半导体装置，其中在所述氧化物半导体层的顶面处，所述氧化物半导体层以及所述第一电极和所述第二电极中的每个彼此直接接触。

10. 一种电子器具，包括根据权利要求2所述的半导体装置，其中所述电子器具是从由计算机、移动电话、个人数字助理、数码相机、数字视频相机、电子纸、以及电视组成的组选择的一个。

11. 一种存储器装置，包括根据权利要求2所述的半导体装置。