[发明专利]高纵横比的空心制品内部的化学气相沉积

权利要求书

1.一种高纵横比空心管状工件内部区域等离子体强化化学气相沉积（CVD）方法，包括：

沿着纵横比高于或等于约30:1的高纵横比空心管状工件的狭长内部区域的纵轴设置轴向地定距相隔地排列的多个阳极；

将CVD生产气体引入工件的内部区域；

将各自单独的直流或脉冲直流偏压施加于多个阳极的每一个，以激发生产气体成为等离子体；以及

控制工件内部区域中的生产气体压力，以维持等离子体。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述的维持等离子体包括维持等离子体中的空心阴极效应。

3.权利要求1所述的方法，进一步包括为多个阳极提供狭长支承管，将多个阳极以定距相隔地排列的方式设置于狭长的支承管内部，所述支承管做成特定尺寸以保持于工件的狭长内部区域之内。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述的引入生产气体至工件的内部区域包括通过一个或多个气体扩散器输送生产气体。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述的工件内部区域水平地定向，生产气体主要被引入工件内部区域的下半部分。

6.如权利要求1所述的方法，进一步包括在多个阳极的至少一个附近引入阳极气体。

7.如权利要求1所述的方法，进一步包括引入等离子体调节气至工件内部区域。

8.如权利要求7所述的方法，其中所述的生产气体被引入第一区域，等离子体调节气被引入第二区域，第一和第二区域处于工件的内部区域，并相对于纵轴彼此相对。

9.如权利要求7所述的方法，其中所述的工件内部区域水平地定向，等离子体调节气主要被引入工件内部区域的上半部分。

10.如权利要求7所述的方法，其中所述的等离子体调节气主要被引入工件内部区域的长度中间区域。

11.如权利要求1所述的方法，其中所述的CVD生产气体包括类金刚石镀层或掺杂类金刚石镀层的成分。

12.如权利要求1所述的方法，其中所述的CVD生产气体包括类金刚石镀层的成分，所述类金刚石镀层具有掺杂物，所述掺杂物包含硅或锗。

13.如权利要求1所述的方法，进一步包括供应电流以及以各选定的比例分配供应电流至多个阳极的每一个。

14.如权利要求1所述的方法，其中所述的阳极与空心管状工件内径间的间距的比介于约20:1和约1:1。

15.一个用于化学气相沉积至空心管状工件狭长内部区域的设备，包括：

做成特定尺寸以沿空心导电工件狭长内部区域分布的轴向地定距相隔地排列的多个阳极；

连接成向所述多个阳极的每一个提供独立的直流电流或脉冲直流电流偏压的电偏压电路；以及

可连接成在工件内部区域的压力下输送生产气体至工件内部区域的供气管道，所述压力受控制以获得等离子体。

16.如权利要求15所述的设备，其中所述的等离子体包括具有空心阴极效应的至少一部分。

17.如权利要求15所述的设备，进一步包括包含多个阳极并做成特定尺寸以适应工件狭长内部区域的狭长支承管。

18.如权利要求17所述的设备，其中所述的狭长支承管具有至少一个阳极槽口以及至少一个电子出入孔。

19.如权利要求15所述的设备，进一步包括至少一个用于扩散来自气体供应管道的生产气体的气体扩散器。

20.如权利要求19所述的设备，其中所述的至少一个气体扩散器包括气体腔体扩散器。

21.如权利要求15所述的设备，具有对多个阳极提供单独偏压的多个电流分配器。

22.如权利要求15所述的设备，进一步包括可定位成输送等离子体调节气至工件内部区域的调节气体管道。